SiC能滿足消費者對更高續(xù)航里程和更快充電的需求，因此電動汽車在功率轉換和逆變器應用中對SiC的采用正在迅速增加。

RGWxx65C系列”是Hybrid型IGBT，在IGBT*2的反饋單元（續(xù)流二極管)中采用了ROHM的低損耗SiC肖特基勢壘二極管(SiC SBD）,成功大幅降低以往IGBT產品導通時的開關損耗（以下稱“開通損耗”*3）。

搭配Si828x系列使用的WolfspeedSiC FET可提高功率和轉換效率，這意味著更少的電池單元、更多傳輸給電動機的功率以及更低的運營成本。

制造商: STMicroelectronics

產品種類: 馬達/運動/點火控制器和驅動器

RoHS: 詳細信息

類型: Driver

工作電源電壓: 8 V to 52 V

工作電源電流: 10 mA

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 150 C

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: PowerSO-20

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

系列: L6205

商標: STMicroelectronics

濕度敏感性: Yes

產品類型: Motor / Motion / Ignition Controllers & Drivers

工廠包裝數量: 600

子類別: PMIC - Power Management ICs

單位重量: 2 g

為了進一步提高系統(tǒng)的效率，對各種車載設備的逆變器和轉換器電路中使用的功率半導體也提出了多樣化需求，超低損耗的SiC功率元器件（SiC MOSFET、SiC SBD等）和傳統(tǒng)的硅功率元器件（IGBT、SJ-MOSFET等）都在經歷技術變革。

ROHM致力于為廣泛的應用提供有效的電源解決方案，不僅專注于行業(yè)先進的SiC功率元器件，還積極推動Si功率元器件和驅動IC的技術及產品開發(fā)。

此次，開發(fā)了能夠為普及中的車載、工業(yè)設備提供更高性價比的Hybrid IGBT。

(素材來源：eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）