逆變器和轉(zhuǎn)換器電路中IGBT產(chǎn)品傳輸給電動(dòng)機(jī)的功率
發(fā)布時(shí)間:2021/7/18 8:22:35 訪問次數(shù):715
SiC能滿足消費(fèi)者對更高續(xù)航里程和更快充電的需求,因此電動(dòng)汽車在功率轉(zhuǎn)換和逆變器應(yīng)用中對SiC的采用正在迅速增加。
RGWxx65C系列”是Hybrid型IGBT,在IGBT*2的反饋單元(續(xù)流二極管)中采用了ROHM的低損耗SiC肖特基勢壘二極管(SiC SBD),成功大幅降低以往IGBT產(chǎn)品導(dǎo)通時(shí)的開關(guān)損耗(以下稱“開通損耗”*3)。
搭配Si828x系列使用的WolfspeedSiC FET可提高功率和轉(zhuǎn)換效率,這意味著更少的電池單元、更多傳輸給電動(dòng)機(jī)的功率以及更低的運(yùn)營成本。
制造商: STMicroelectronics
產(chǎn)品種類: 馬達(dá)/運(yùn)動(dòng)/點(diǎn)火控制器和驅(qū)動(dòng)器
RoHS: 詳細(xì)信息
類型: Driver
工作電源電壓: 8 V to 52 V
工作電源電流: 10 mA
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 150 C
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: PowerSO-20
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
系列: L6205
商標(biāo): STMicroelectronics
濕度敏感性: Yes
產(chǎn)品類型: Motor / Motion / Ignition Controllers & Drivers
工廠包裝數(shù)量: 600
子類別: PMIC - Power Management ICs
單位重量: 2 g

為了進(jìn)一步提高系統(tǒng)的效率,對各種車載設(shè)備的逆變器和轉(zhuǎn)換器電路中使用的功率半導(dǎo)體也提出了多樣化需求,超低損耗的SiC功率元器件(SiC MOSFET、SiC SBD等)和傳統(tǒng)的硅功率元器件(IGBT、SJ-MOSFET等)都在經(jīng)歷技術(shù)變革。
ROHM致力于為廣泛的應(yīng)用提供有效的電源解決方案,不僅專注于行業(yè)先進(jìn)的SiC功率元器件,還積極推動(dòng)Si功率元器件和驅(qū)動(dòng)IC的技術(shù)及產(chǎn)品開發(fā)。
此次,開發(fā)了能夠?yàn)槠占爸械能囕d、工業(yè)設(shè)備提供更高性價(jià)比的Hybrid IGBT。
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
SiC能滿足消費(fèi)者對更高續(xù)航里程和更快充電的需求,因此電動(dòng)汽車在功率轉(zhuǎn)換和逆變器應(yīng)用中對SiC的采用正在迅速增加。
RGWxx65C系列”是Hybrid型IGBT,在IGBT*2的反饋單元(續(xù)流二極管)中采用了ROHM的低損耗SiC肖特基勢壘二極管(SiC SBD),成功大幅降低以往IGBT產(chǎn)品導(dǎo)通時(shí)的開關(guān)損耗(以下稱“開通損耗”*3)。
搭配Si828x系列使用的WolfspeedSiC FET可提高功率和轉(zhuǎn)換效率,這意味著更少的電池單元、更多傳輸給電動(dòng)機(jī)的功率以及更低的運(yùn)營成本。
制造商: STMicroelectronics
產(chǎn)品種類: 馬達(dá)/運(yùn)動(dòng)/點(diǎn)火控制器和驅(qū)動(dòng)器
RoHS: 詳細(xì)信息
類型: Driver
工作電源電壓: 8 V to 52 V
工作電源電流: 10 mA
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 150 C
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: PowerSO-20
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
系列: L6205
商標(biāo): STMicroelectronics
濕度敏感性: Yes
產(chǎn)品類型: Motor / Motion / Ignition Controllers & Drivers
工廠包裝數(shù)量: 600
子類別: PMIC - Power Management ICs
單位重量: 2 g

為了進(jìn)一步提高系統(tǒng)的效率,對各種車載設(shè)備的逆變器和轉(zhuǎn)換器電路中使用的功率半導(dǎo)體也提出了多樣化需求,超低損耗的SiC功率元器件(SiC MOSFET、SiC SBD等)和傳統(tǒng)的硅功率元器件(IGBT、SJ-MOSFET等)都在經(jīng)歷技術(shù)變革。
ROHM致力于為廣泛的應(yīng)用提供有效的電源解決方案,不僅專注于行業(yè)先進(jìn)的SiC功率元器件,還積極推動(dòng)Si功率元器件和驅(qū)動(dòng)IC的技術(shù)及產(chǎn)品開發(fā)。
此次,開發(fā)了能夠?yàn)槠占爸械能囕d、工業(yè)設(shè)備提供更高性價(jià)比的Hybrid IGBT。
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
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