V系列單層電容產(chǎn)品家族新成員——新型100nF容值電容器。該100nF、高頻、金絲鍵合裝配單層電容完美匹配GaN及GaA放大器應用，其具備的小型尺寸和微波性能對此類應用至關(guān)重要。

100nF單層電容將拓展我們的V系列產(chǎn)品家族，為我們的客戶帶來旁路性能和電路集成的提升,該產(chǎn)品憑借緊湊的尺寸，X7R的溫度穩(wěn)定性以及金絲鍵合裝配成為高性能電路不可或缺的一部分。

單層電容器支持微波和高達100GHz的毫米波應用，具體應用包括通用隔直、低噪聲放大器、功率放大器和大功率放大器、振蕩器和濾波器等。

714

MOSFET

8,621

肖特基二極管與整流器

3,228

薄膜電容器

931

厚膜電阻器 - SMD

13,734

金屬膜電阻器 - 透孔

7,811

開關(guān)穩(wěn)壓器

1,760

模擬開關(guān) IC

8,598

標準時鐘振蕩器

36

開關(guān)穩(wěn)壓器

885

新系列用于直流鏈路應用的愛普科斯 (EPCOS)電力電容器。新系列元件的額定電壓范圍為700 V DC至2000 V DC，電容范圍為20 μF至270 μF。

在65°C時，電流承受能力最高為60 A（具體視型號而定），可耐受高達7.5 kA的峰值電流和最高85°C的熱點溫度。

新系列電容器配備阻燃等級為UL 94 V0的柱形塑料外殼，支持M8螺栓和M5螺紋孔兩種連接方式，典型應用包括光伏系統(tǒng)中的快速切換轉(zhuǎn)換器和逆變器，鐵路技術(shù)中的牽引，以及感應加熱系統(tǒng)。

(素材來源：eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝）