CrossLink-NX系列是低功耗FPGA,特別應(yīng)用在嵌入可視應(yīng)用,支持各種高帶寬傳感器和顯示接口,視頻處理和機(jī)器學(xué)習(xí)推理.

基于Lattice Nexus FPGA平臺,采用低功耗28nm FD-SOI工藝,組合了FPGA的極好的靈活性和低功耗和高可靠性,提供了小占位面積的封裝.

CrossLink-NX系列支持多種接口包括MIPI D-PHY (CSI-2, DSI), LVDS, SLVS, subLVDS, PCI Express (Gen1, Gen2), SGMII (吉比特以太網(wǎng))等.

制造商:Diodes Incorporated 產(chǎn)品種類:MOSFET 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerDI3333-8 晶體管極性:P-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:40 V Id-連續(xù)漏極電流:7.2 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:18 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:1.8 V Qg-柵極電荷:33.7 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:810 mW 通道模式:Enhancement 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Single 晶體管類型:1 P-Channel 商標(biāo):Diodes Incorporated 正向跨導(dǎo) - 最小值:16.6 S 下降時間:30.9 ns 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時間:14.7 ns 工廠包裝數(shù)量3000 子類別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時間:53.7 ns 典型接通延遲時間:6.9 ns 單位重量:30 mg

在這種情況下，ROHM新開發(fā)出四款可同時降低輻射噪聲和功率損耗、并在這兩方面均實現(xiàn)了業(yè)內(nèi)超高特性的IGBT IPM系列產(chǎn)品。

此外，還配備了已實現(xiàn)更低損耗的最新IGBT元件，與ROHM以往產(chǎn)品相比，新產(chǎn)品的功率損耗降低了6%（fc=15kHz時），已達(dá)到業(yè)界超高水平，有助于降低各種應(yīng)用設(shè)備的功耗。

并且，該系列產(chǎn)品還顯著改善了溫度監(jiān)控功能，實現(xiàn)了±2％（相當(dāng)于2℃）的高精度，這使得削減以往高精度溫度監(jiān)控器所需的外置熱敏電阻數(shù)量同樣成為可能，有助于減少元器件數(shù)量和設(shè)計工時。

(素材來源：eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝）