兩個基準(組合模式)適用于變頻器的39K邏輯單元功率轉換
發(fā)布時間:2021/7/25 6:24:10 訪問次數(shù):311
四款兼具出色的降噪和低損耗特性的600V耐壓IGBT IPM*1（Intelligent Power Module）“BM6437x系列”，該系列產(chǎn)品可內(nèi)置于空調、洗衣機等白色家電和小型工業(yè)設備（如工業(yè)用機器人用的小容量電機等）中，且非常適用于各種變頻器的功率轉換。
此次開發(fā)的新產(chǎn)品通過優(yōu)化內(nèi)置FRD（Fast Recovery Diode，快速恢復二極管）的軟恢復性能和內(nèi)置IGBT，與普通產(chǎn)品相比，輻射噪聲降低6dB以上（峰值比較時），這使得削減以往所需的噪聲濾波器成為可能。
制造商:Toshiba產(chǎn)品種類:MOSFETRoHS: 技術:Si安裝風格:SMD/SMT封裝 / 箱體:SOP-8晶體管極性:N-Channel通道數(shù)量:1 ChannelVds-漏源極擊穿電壓:150 VId-連續(xù)漏極電流:29 ARds On-漏源導通電阻:33 mOhmsVgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 VVgs th-柵源極閾值電壓:2 VQg-柵極電荷:10.6 nC最小工作溫度:- 55 C最大工作溫度:+ 150 CPd-功率耗散:57 W通道模式:Enhancement商標名:封裝:Cut Tape封裝:MouseReel封裝:Reel配置:Single高度:0.95 mm長度:5 mm系列:晶體管類型:1 N-Channel寬度:5 mm商標:Toshiba下降時間:5.1 ns產(chǎn)品類型:MOSFET上升時間:5.8 ns5000子類別:MOSFETs典型關閉延遲時間:17 ns典型接通延遲時間:16 ns單位重量:83 mg
它的處理特性包括高達39K邏輯單元,56個18x18乘法器,2.9Mb嵌入存儲器(由EBR和LRAM區(qū)塊組成),分布式存儲器,DRAM接口(支持DDR3,DDR3L,LPDDR2和LPDDR3,高達1066 Mbpsx16數(shù)據(jù)寬).
器件支持高達1.8V VCCIO,混合電壓支持1.0 V, 1.2 V, 1.5 V, 1.8 V,高速差分高達1.5Gbps,支持soft D-PHY (Tx/Rx), LVDS 7:1 (Tx/Rx), SLVS (Tx/Rx), subLVDS (Rx)以及SGMII(Gb 以太網(wǎng))-1.25Gbps時兩路(Tx/Rx).
頻率信息能從DPLL-0 到DPLL-1,反之亦然,使得兩個基準(組合模式)的頻率特性得以組合.
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權請聯(lián)系刪除。特別感謝）
四款兼具出色的降噪和低損耗特性的600V耐壓IGBT IPM*1（Intelligent Power Module）“BM6437x系列”，該系列產(chǎn)品可內(nèi)置于空調、洗衣機等白色家電和小型工業(yè)設備（如工業(yè)用機器人用的小容量電機等）中，且非常適用于各種變頻器的功率轉換。
此次開發(fā)的新產(chǎn)品通過優(yōu)化內(nèi)置FRD（Fast Recovery Diode，快速恢復二極管）的軟恢復性能和內(nèi)置IGBT，與普通產(chǎn)品相比，輻射噪聲降低6dB以上（峰值比較時），這使得削減以往所需的噪聲濾波器成為可能。
制造商:Toshiba產(chǎn)品種類:MOSFETRoHS: 技術:Si安裝風格:SMD/SMT封裝 / 箱體:SOP-8晶體管極性:N-Channel通道數(shù)量:1 ChannelVds-漏源極擊穿電壓:150 VId-連續(xù)漏極電流:29 ARds On-漏源導通電阻:33 mOhmsVgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 VVgs th-柵源極閾值電壓:2 VQg-柵極電荷:10.6 nC最小工作溫度:- 55 C最大工作溫度:+ 150 CPd-功率耗散:57 W通道模式:Enhancement商標名:封裝:Cut Tape封裝:MouseReel封裝:Reel配置:Single高度:0.95 mm長度:5 mm系列:晶體管類型:1 N-Channel寬度:5 mm商標:Toshiba下降時間:5.1 ns產(chǎn)品類型:MOSFET上升時間:5.8 ns5000子類別:MOSFETs典型關閉延遲時間:17 ns典型接通延遲時間:16 ns單位重量:83 mg
它的處理特性包括高達39K邏輯單元,56個18x18乘法器,2.9Mb嵌入存儲器(由EBR和LRAM區(qū)塊組成),分布式存儲器,DRAM接口(支持DDR3,DDR3L,LPDDR2和LPDDR3,高達1066 Mbpsx16數(shù)據(jù)寬).
器件支持高達1.8V VCCIO,混合電壓支持1.0 V, 1.2 V, 1.5 V, 1.8 V,高速差分高達1.5Gbps,支持soft D-PHY (Tx/Rx), LVDS 7:1 (Tx/Rx), SLVS (Tx/Rx), subLVDS (Rx)以及SGMII(Gb 以太網(wǎng))-1.25Gbps時兩路(Tx/Rx).
頻率信息能從DPLL-0 到DPLL-1,反之亦然,使得兩個基準(組合模式)的頻率特性得以組合.
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權請聯(lián)系刪除。特別感謝）
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