單路隔離用于IGBT,MOSFET和SiC MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)器
發(fā)布時(shí)間:2021/7/25 7:31:15 訪問(wèn)次數(shù):610
UCC23511-Q1是光兼容單路隔離用于IGBT,MOSFET和SiC MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)器,源電流1.5A,沉電流2A,增強(qiáng)隔離指標(biāo)為5.7-kVRMS.33V高工作電壓允許采用雙極電源來(lái)有效地驅(qū)動(dòng)IGBT和SiC功率FET.UCC23511-Q1能驅(qū)動(dòng)高邊和低邊功率FET.
引腳對(duì)引腳替代光隔離柵極驅(qū)動(dòng)器,12V VCC UVLO, 軌到軌輸出,最大傳輸時(shí)延為105ns,部件間延時(shí)失配最大為25ns,脈寬失真最大為35ns,共模瞬態(tài)免疫度(CMTI)大于150-kV/μs,隔離阻擋層壽命大于50年.
工作結(jié)溫為–40C 到+150C.5.7-kVRMS隔離1分鐘per UL 1577.
制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品種類:線性穩(wěn)壓器 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TO-252 輸出端數(shù)量:1 Output 極性:Positive 輸出電壓:5 V 輸出電流:500 mA 輸出類型:Fixed 最大輸入電壓:35 V 最小輸入電壓:7 V 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 125 C 負(fù)載調(diào)節(jié):100 mV 線路調(diào)整率:100 mV 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 高度:2.4 mm 長(zhǎng)度:6.6 mm 寬度:6.2 mm 商標(biāo):STMicroelectronics PSRR/紋波抑制—典型值:62 dB 產(chǎn)品類型:Linear Voltage Regulators 工廠包裝數(shù)量2500 子類別:PMIC - Power Management ICs 單位重量:1.800 g
兩個(gè)衰減器采用共同的確模擬控制,可以級(jí)聯(lián)起來(lái)以得到44.7dB的總衰減,典型的組合線性控制斜率為16dB/V(5V工作).
片上4線SPI控制的10位DAC能用來(lái)控制兩個(gè)衰減器.MAX19794是單片器件,采用該公司的專有的SiGeBiCMOS工藝,工作單5V電壓或+3.3V電壓.
高度線性度整個(gè)衰減范圍內(nèi)IIP3大于+34.4dBm,輸入P1dB為+21.8dBm.采用36引腳6mmx6mmx0,8mm TQFN封裝,工作溫度為-40NC到+100NC.
(素材來(lái)源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)
UCC23511-Q1是光兼容單路隔離用于IGBT,MOSFET和SiC MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)器,源電流1.5A,沉電流2A,增強(qiáng)隔離指標(biāo)為5.7-kVRMS.33V高工作電壓允許采用雙極電源來(lái)有效地驅(qū)動(dòng)IGBT和SiC功率FET.UCC23511-Q1能驅(qū)動(dòng)高邊和低邊功率FET.
引腳對(duì)引腳替代光隔離柵極驅(qū)動(dòng)器,12V VCC UVLO, 軌到軌輸出,最大傳輸時(shí)延為105ns,部件間延時(shí)失配最大為25ns,脈寬失真最大為35ns,共模瞬態(tài)免疫度(CMTI)大于150-kV/μs,隔離阻擋層壽命大于50年.
工作結(jié)溫為–40C 到+150C.5.7-kVRMS隔離1分鐘per UL 1577.
制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品種類:線性穩(wěn)壓器 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TO-252 輸出端數(shù)量:1 Output 極性:Positive 輸出電壓:5 V 輸出電流:500 mA 輸出類型:Fixed 最大輸入電壓:35 V 最小輸入電壓:7 V 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 125 C 負(fù)載調(diào)節(jié):100 mV 線路調(diào)整率:100 mV 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 高度:2.4 mm 長(zhǎng)度:6.6 mm 寬度:6.2 mm 商標(biāo):STMicroelectronics PSRR/紋波抑制—典型值:62 dB 產(chǎn)品類型:Linear Voltage Regulators 工廠包裝數(shù)量2500 子類別:PMIC - Power Management ICs 單位重量:1.800 g
兩個(gè)衰減器采用共同的確模擬控制,可以級(jí)聯(lián)起來(lái)以得到44.7dB的總衰減,典型的組合線性控制斜率為16dB/V(5V工作).
片上4線SPI控制的10位DAC能用來(lái)控制兩個(gè)衰減器.MAX19794是單片器件,采用該公司的專有的SiGeBiCMOS工藝,工作單5V電壓或+3.3V電壓.
高度線性度整個(gè)衰減范圍內(nèi)IIP3大于+34.4dBm,輸入P1dB為+21.8dBm.采用36引腳6mmx6mmx0,8mm TQFN封裝,工作溫度為-40NC到+100NC.
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