索尼Pregius和Starvis傳感器模塊耐輻射塑料封裝IC
發(fā)布時(shí)間:2023/1/31 22:03:56 訪(fǎng)問(wèn)次數(shù):146
產(chǎn)品包括Omnivision OV9281傳感器的相機(jī)模塊,該模塊用于價(jià)格敏感型應(yīng)用和原型制作,以及裝有時(shí)下流行的索尼Pregius和Starvis傳感器模塊,該模塊滿(mǎn)足VC MIPI IMX412高達(dá)12.3M像素的最高圖像質(zhì)量要求。
用于攝像機(jī)模塊與各種CPU主板的15針/22針的FPC電纜、攝像機(jī)鏡頭和鏡頭支架的直接連接,另外還有VC MIPI中繼器板,它支持五倍長(zhǎng)的攝像頭電纜,并提供額外的接口以及觸發(fā)輸入和閃光觸發(fā)輸出。
用于衛(wèi)星電源管理系統(tǒng)的塑料封裝抗輻射(rad-hard)設(shè)備的新系列。
制造商: Renesas Electronics
產(chǎn)品種類(lèi): MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-3P-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 1.5 kV
Id-連續(xù)漏極電流: 2.5 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 12 Ohms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 4 V
Qg-柵極電荷: -
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 100 W
通道模式: Enhancement
封裝: Tube
高度: mm
長(zhǎng)度: mm
寬度: mm
商標(biāo): Renesas Electronics
產(chǎn)品類(lèi)型: MOSFET
工廠包裝數(shù)量: 30
子類(lèi)別: MOSFETs
單位重量: 1.600 g
瑞薩電子的塑料 IC 系列共同支持多個(gè)軌道范圍,提供各種衛(wèi)星子系統(tǒng)和有效載荷所需的輻射性能和最佳成本平衡。
抗輻射 IC 在低劑量率 (LDR) 的總電離劑量 (TID) 高達(dá) 75krad(Si) 和線(xiàn)性能量轉(zhuǎn)移 (LET) 為 60MeVcm 2 /mg 或 LET 86MeV時(shí)進(jìn)行了特性測(cè)試cm 2 /mg 用于單一事件效應(yīng) (SEE)。
ISL71001SEHM 針對(duì)高劑量率 (HDR) 的 TID 額定值高達(dá) 100krad(Si)。
(素材來(lái)源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)
產(chǎn)品包括Omnivision OV9281傳感器的相機(jī)模塊,該模塊用于價(jià)格敏感型應(yīng)用和原型制作,以及裝有時(shí)下流行的索尼Pregius和Starvis傳感器模塊,該模塊滿(mǎn)足VC MIPI IMX412高達(dá)12.3M像素的最高圖像質(zhì)量要求。
用于攝像機(jī)模塊與各種CPU主板的15針/22針的FPC電纜、攝像機(jī)鏡頭和鏡頭支架的直接連接,另外還有VC MIPI中繼器板,它支持五倍長(zhǎng)的攝像頭電纜,并提供額外的接口以及觸發(fā)輸入和閃光觸發(fā)輸出。
用于衛(wèi)星電源管理系統(tǒng)的塑料封裝抗輻射(rad-hard)設(shè)備的新系列。
制造商: Renesas Electronics
產(chǎn)品種類(lèi): MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-3P-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 1.5 kV
Id-連續(xù)漏極電流: 2.5 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 12 Ohms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 4 V
Qg-柵極電荷: -
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 100 W
通道模式: Enhancement
封裝: Tube
高度: mm
長(zhǎng)度: mm
寬度: mm
商標(biāo): Renesas Electronics
產(chǎn)品類(lèi)型: MOSFET
工廠包裝數(shù)量: 30
子類(lèi)別: MOSFETs
單位重量: 1.600 g
瑞薩電子的塑料 IC 系列共同支持多個(gè)軌道范圍,提供各種衛(wèi)星子系統(tǒng)和有效載荷所需的輻射性能和最佳成本平衡。
抗輻射 IC 在低劑量率 (LDR) 的總電離劑量 (TID) 高達(dá) 75krad(Si) 和線(xiàn)性能量轉(zhuǎn)移 (LET) 為 60MeVcm 2 /mg 或 LET 86MeV時(shí)進(jìn)行了特性測(cè)試cm 2 /mg 用于單一事件效應(yīng) (SEE)。
ISL71001SEHM 針對(duì)高劑量率 (HDR) 的 TID 額定值高達(dá) 100krad(Si)。
(素材來(lái)源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)
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