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全新R-Car Gen3e和參考解決方案構(gòu)建無縫且經(jīng)濟高效遷移路徑

發(fā)布時間:2021/7/26 13:10:53 訪問次數(shù):194

增強現(xiàn)實導航系統(tǒng)和基于AI的數(shù)字汽車助手等應(yīng)用日益普及,整車廠和一級供應(yīng)商需要在對更大、更高分辨率顯示器和高性能芯片飛速增長需求,與不斷飆升的BOM成本及更長的開發(fā)時間之間取得平衡。

全新R-Car Gen3e和參考解決方案構(gòu)建了無縫且經(jīng)濟高效的遷移路徑,與現(xiàn)有的R-Car Gen3 SoC完全兼容并易于集成,使客戶能夠更便捷地將其汽車級應(yīng)用推向市場。

“GYE系列”(125℃ 4000小時保證)、“GYE系列”(150℃ 1000小時保證)等導電性高分子混合鋁電解電容器,并且向車載、工業(yè)設(shè)備和通信領(lǐng)域等要求高可靠性的市場提出了解決方案。

制造商:ROHM Semiconductor 產(chǎn)品種類:雙極晶體管 - 雙極結(jié)型晶體管(BJT) 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-59-3 晶體管極性:NPN 配置:Single 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:32 V 集電極—基極電壓 VCBO:40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:5 V 集電極—射極飽和電壓:0.1 V 最大直流電集電極電流:0.8 A Pd-功率耗散:200 mW 增益帶寬產(chǎn)品fT:150 MHz 最大工作溫度:+ 150 C 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 直流電流增益 hFE 最大值:390 高度:1.1 mm 長度:2.9 mm 技術(shù):Si 寬度:1.6 mm 商標:ROHM Semiconductor 集電極連續(xù)電流:0.8 A 直流集電極/Base Gain hfe Min:120 產(chǎn)品類型:BJTs - Bipolar Transistors 工廠包裝數(shù)量3000 子類別:Transistors

由于是不含溶劑的材料,不會留下殘渣,可提高接合可靠性。由于可形成10μm(微米)以下的硬焊材料厚度,與以往的活性金屬硬焊材料相比可將銀塊的成本控制在一半以下,并將硬焊材料熱阻減半。

由于合成了銅材料,只需配合材料就可以形成圖案,可實現(xiàn)工藝成本的降低。降低環(huán)境負荷由于是不含溶劑的材料,不會產(chǎn)生VOC(揮發(fā)性有機化合物)。

通過大幅度降低硬焊時間,可實現(xiàn)節(jié)能,并可期降低環(huán)境負荷。根據(jù)上述特點,本產(chǎn)品可活用于半導體領(lǐng)域等廣泛用途,特別是可期在散熱領(lǐng)域的擴展。

(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

增強現(xiàn)實導航系統(tǒng)和基于AI的數(shù)字汽車助手等應(yīng)用日益普及,整車廠和一級供應(yīng)商需要在對更大、更高分辨率顯示器和高性能芯片飛速增長需求,與不斷飆升的BOM成本及更長的開發(fā)時間之間取得平衡。

全新R-Car Gen3e和參考解決方案構(gòu)建了無縫且經(jīng)濟高效的遷移路徑,與現(xiàn)有的R-Car Gen3 SoC完全兼容并易于集成,使客戶能夠更便捷地將其汽車級應(yīng)用推向市場。

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制造商:ROHM Semiconductor 產(chǎn)品種類:雙極晶體管 - 雙極結(jié)型晶體管(BJT) 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-59-3 晶體管極性:NPN 配置:Single 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:32 V 集電極—基極電壓 VCBO:40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:5 V 集電極—射極飽和電壓:0.1 V 最大直流電集電極電流:0.8 A Pd-功率耗散:200 mW 增益帶寬產(chǎn)品fT:150 MHz 最大工作溫度:+ 150 C 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 直流電流增益 hFE 最大值:390 高度:1.1 mm 長度:2.9 mm 技術(shù):Si 寬度:1.6 mm 商標:ROHM Semiconductor 集電極連續(xù)電流:0.8 A 直流集電極/Base Gain hfe Min:120 產(chǎn)品類型:BJTs - Bipolar Transistors 工廠包裝數(shù)量3000 子類別:Transistors

由于是不含溶劑的材料,不會留下殘渣,可提高接合可靠性。由于可形成10μm(微米)以下的硬焊材料厚度,與以往的活性金屬硬焊材料相比可將銀塊的成本控制在一半以下,并將硬焊材料熱阻減半。

由于合成了銅材料,只需配合材料就可以形成圖案,可實現(xiàn)工藝成本的降低。降低環(huán)境負荷由于是不含溶劑的材料,不會產(chǎn)生VOC(揮發(fā)性有機化合物)。

通過大幅度降低硬焊時間,可實現(xiàn)節(jié)能,并可期降低環(huán)境負荷。根據(jù)上述特點,本產(chǎn)品可活用于半導體領(lǐng)域等廣泛用途,特別是可期在散熱領(lǐng)域的擴展。

(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

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