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7英寸(18厘米)的機(jī)架空間中容納多達(dá)106塊驅(qū)動器

發(fā)布時(shí)間:2021/7/28 12:11:09 訪問次數(shù):840

突破性的 Exos CORVAULT 自愈塊存儲系統(tǒng)。這款智能大容量存儲產(chǎn)品的一大特點(diǎn)，就是能夠簡化數(shù)據(jù)管理、并減少宏觀邊緣與數(shù)據(jù)中心環(huán)境的人工干預(yù)。

在最大的 4U 機(jī)箱外形下，它能夠在 7 英寸(18 厘米)的機(jī)架空間中容納多達(dá) 106 塊驅(qū)動器。

除了極高的存儲密度，Exos CORVAULT 新品還提供了 SAN 級別的性能，結(jié)合第六代 VelosCT ASIC、ADAPT 糾刪碼數(shù)據(jù)保護(hù)、以及自發(fā)性重建等功能。

CORVAULT 基于希捷 Exos 4U106 12 Gb/s 平臺而設(shè)計(jì)，提供了高達(dá)”五個(gè)九”(99.999%)的可靠性。

制造商:Microchip產(chǎn)品種類:8位微控制器 -MCURoHS: 系列:安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝 / 箱體:VQFN-32核心:程序存儲器大小:16 kB數(shù)據(jù)總線寬度:8 bitADC分辨率:10 bit最大時(shí)鐘頻率:20 MHz輸入/輸出端數(shù)量:23 I/O數(shù)據(jù) RAM 大小:1 kB工作電源電壓:1.8 V to 5.5 V最小工作溫度:- 40 C最大工作溫度:+ 85 C封裝:Tray高度:0.88 mm長度:5 mm產(chǎn)品:MCU程序存儲器類型:Flash寬度:5 mm商標(biāo):Microchip Technology / Atmel接口類型:2-Wire, SPI, USART濕度敏感性:Yes計(jì)時(shí)器/計(jì)數(shù)器數(shù)量:3 Timer處理器系列:megaAVR產(chǎn)品類型:8-bit Microcontrollers - MCU490子類別:Microcontrollers - MCU電源電壓-最大:5.5 V電源電壓-最小:1.8 V商標(biāo)名:單位重量:72.200 mg

NextPower芯片技術(shù)的低RDS(on)和低Qrr，80 V和100 V MOSFET。

新生產(chǎn)線將立即擴(kuò)大Nexperia的產(chǎn)能，新的PSMN3R9-100YSF (100 V)和PSMN3R5-80YSF (80 V)器件將具有行業(yè)內(nèi)極低的Qrr品質(zhì)因數(shù)(RDS(on) x Qrr)。

Nexperia積極投資全球制造工廠以提高產(chǎn)能，包括曼徹斯特和菲律賓的MOSFET生產(chǎn)設(shè)備，這對買方來講一個(gè)好消息。新型MOSFET的性能也令設(shè)計(jì)人員感到興奮。

這些MOSFET非常適合各種開關(guān)應(yīng)用，也可以替代其他供應(yīng)商的產(chǎn)品。

(素材來源：eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝）


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在最大的 4U 機(jī)箱外形下，它能夠在 7 英寸(18 厘米)的機(jī)架空間中容納多達(dá) 106 塊驅(qū)動器。

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制造商:Microchip產(chǎn)品種類:8位微控制器 -MCURoHS: 系列:安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝 / 箱體:VQFN-32核心:程序存儲器大小:16 kB數(shù)據(jù)總線寬度:8 bitADC分辨率:10 bit最大時(shí)鐘頻率:20 MHz輸入/輸出端數(shù)量:23 I/O數(shù)據(jù) RAM 大小:1 kB工作電源電壓:1.8 V to 5.5 V最小工作溫度:- 40 C最大工作溫度:+ 85 C封裝:Tray高度:0.88 mm長度:5 mm產(chǎn)品:MCU程序存儲器類型:Flash寬度:5 mm商標(biāo):Microchip Technology / Atmel接口類型:2-Wire, SPI, USART濕度敏感性:Yes計(jì)時(shí)器/計(jì)數(shù)器數(shù)量:3 Timer處理器系列:megaAVR產(chǎn)品類型:8-bit Microcontrollers - MCU490子類別:Microcontrollers - MCU電源電壓-最大:5.5 V電源電壓-最小:1.8 V商標(biāo)名:單位重量:72.200 mg

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新生產(chǎn)線將立即擴(kuò)大Nexperia的產(chǎn)能，新的PSMN3R9-100YSF (100 V)和PSMN3R5-80YSF (80 V)器件將具有行業(yè)內(nèi)極低的Qrr品質(zhì)因數(shù)(RDS(on) x Qrr)。

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這些MOSFET非常適合各種開關(guān)應(yīng)用，也可以替代其他供應(yīng)商的產(chǎn)品。

(素材來源：eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝）


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