NextPower技術(shù)提供44nC的極低Qrr以防止振動和聲學(xué)干擾

發(fā)布時間:2021/7/28 12:54:15 訪問次數(shù):189

CORVAULT 經(jīng)過了特殊調(diào)整，以防止振動和聲學(xué)干擾、熱量與電源異常，并且最大限度地提升驅(qū)動器的性能。新款 VelosCT 芯片，為系統(tǒng)的雙存儲控制器提供支撐、并行優(yōu)化所有驅(qū)動器的執(zhí)行器、并帶來卓越的性能表現(xiàn)。

結(jié)合高級分布式自主保護(hù)技術(shù)(ADAPT)，CORVAULT 還可在各個驅(qū)動器之間合理分配數(shù)據(jù)。在提供高級數(shù)據(jù)保護(hù)和快速重建的同時，還不會犧牲整體性能。

驅(qū)動器自主重建(ADR)技術(shù)自我校正的系統(tǒng),手動更換驅(qū)動器，即可讓 CORVAULT 實(shí)現(xiàn)原位更新。

制造商: Broadcom Limited

產(chǎn)品種類: 高速光耦合器

RoHS: N

封裝 / 箱體: PDIP-8

數(shù)據(jù)速率: 50 Mb/s

通道數(shù)量: 1 Channel

輸出類型: Photo IC

絕緣電壓: 3750 Vrms

Vf - 正向電壓: 5 V

If - 正向電流: 10 mA

Pd-功率耗散: 150 mW

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 85 C

系列: HCPL-7723

封裝: Tube

高度: 3.56 mm

長度: 9.65 mm

輸出電流: 10 mA

寬度: 6.35 mm

商標(biāo): Broadcom / Avago

下降時間: 6 ns

產(chǎn)品類型: High Speed Optocouplers

上升時間: 8 ns

工廠包裝數(shù)量: 50

子類別: Optocouplers

NextPower 80 V和100 V芯片MOSFET可以顯著降低RDS(on)，前一代100 V器件為7 mΩ，而新器件只有4.3 mΩ，效率大大提高。

對于100 V器件，NextPower技術(shù)還提供44 nC的極低Qrr，有效降低了尖峰值和EMI干擾�？傮w而言，100 V器件的Qrr品質(zhì)因數(shù)平均比競爭對手同類產(chǎn)品低61%。

新的80 V和100 V MOSFET采用具有高熱性能和電氣性能的Nexperia LFPAK56E銅夾片技術(shù)封裝。器件廣泛適用于開關(guān)應(yīng)用，包括AC/DC、DC/DC和電機(jī)控制等。

(素材來源：eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝）