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3D TLC每單元3比特NAND閃存以提供高性?xún)r(jià)比的工業(yè)級(jí)存儲(chǔ)

發(fā)布時(shí)間:2021/7/29 7:31:55 訪問(wèn)次數(shù):568

PX 系列固態(tài)硬盤(pán)支持64GB、128GB、256GB 和 512GB 容量,采用3D TLC (每單元3比特) NAND 閃存以提供高性?xún)r(jià)比的工業(yè)級(jí)存儲(chǔ)。

支持 5000次擦寫(xiě)周期的 SATA M.2 2242 ArmourDrive™ PX 系列固態(tài)硬盤(pán),以及先進(jìn)的具有卓越數(shù)據(jù)保留和支持 6萬(wàn)次、12萬(wàn)次 和行業(yè)領(lǐng)先的 30萬(wàn)次擦寫(xiě) 周期的高耐久性 EX 系列固態(tài)硬盤(pán)。

SATA M.2 2242 ArmourDrive 固態(tài)硬盤(pán)可在工業(yè)級(jí)溫度(-40 至 +85 攝氏度)范圍內(nèi)工作,經(jīng)過(guò)嚴(yán)格的沖擊和振動(dòng)測(cè)試,適用于嚴(yán)苛的工作環(huán)境。

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類(lèi): IGBT 晶體管

RoHS: 詳細(xì)信息

技術(shù): Si

封裝 / 箱體: TO-220-3

安裝風(fēng)格: Through Hole

配置: Single

集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO: 600 V

集電極—射極飽和電壓: 1.5 V

柵極/發(fā)射極最大電壓: 20 V

在25 C的連續(xù)集電極電流: 9.5 A

Pd-功率耗散: 42 W

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 175 C

系列: Trenchstop IGBT3

封裝: Tube

高度: 9.25 mm

長(zhǎng)度: 10 mm

寬度: 4.4 mm

商標(biāo): Infineon Technologies

柵極—射極漏泄電流: 100 nA

產(chǎn)品類(lèi)型: IGBT Transistors

工廠包裝數(shù)量: 500

子類(lèi)別: IGBTs

商標(biāo)名: TRENCHSTOP

零件號(hào)別名: SP000683054 IKP4N6TXK IKP04N60TXKSA1

單位重量: 6 g

EX系列固態(tài)硬盤(pán)采用綠芯的 EnduroSLC® 技術(shù),支持4GB、8GB、20GB、40GB、80GB、160GB 和 320GB 容量,是綠芯基于SLC (每單元1比特) NAND的長(zhǎng)期支持計(jì)劃 (LTA) 產(chǎn)品 (http://bit.ly/SSD-LTA-program)。

NanEyeM的全數(shù)字輸出節(jié)省了外部模數(shù)轉(zhuǎn)換(ADC)的成本。

該模組可抗手術(shù)環(huán)境中醫(yī)療設(shè)備的磁干擾(EMI/EMC),無(wú)需同軸電纜或屏蔽電纜。預(yù)連接電纜避免了額外的購(gòu)置成本。

(素材來(lái)源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)

系列固態(tài)硬盤(pán)支持64GB、128GB、256GB 和 512GB 容量,采用3D TLC (每單元3比特) NAND 閃存以提供高性?xún)r(jià)比的工業(yè)級(jí)存儲(chǔ)。

支持 5000次擦寫(xiě)周期的 SATA M.2 2242 ArmourDrive™ 系列固態(tài)硬盤(pán),以及先進(jìn)的具有卓越數(shù)據(jù)保留和支持 6萬(wàn)次、12萬(wàn)次 和行業(yè)領(lǐng)先的 30萬(wàn)次擦寫(xiě) 周期的高耐久性 EX 系列固態(tài)硬盤(pán)。

SATA M.2 2242 ArmourDrive 固態(tài)硬盤(pán)可在工業(yè)級(jí)溫度(-40 至 +85 攝氏度)范圍內(nèi)工作,經(jīng)過(guò)嚴(yán)格的沖擊和振動(dòng)測(cè)試,適用于嚴(yán)苛的工作環(huán)境。

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類(lèi): IGBT 晶體管

RoHS: 詳細(xì)信息

技術(shù): Si

封裝 / 箱體: TO-220-3

安裝風(fēng)格: Through Hole

配置: Single

集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO: 600 V

集電極—射極飽和電壓: 1.5 V

柵極/發(fā)射極最大電壓: 20 V

在25 C的連續(xù)集電極電流: 9.5 A

Pd-功率耗散: 42 W

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 175 C

系列: Trenchstop IGBT3

封裝: Tube

高度: 9.25 mm

長(zhǎng)度: 10 mm

寬度: 4.4 mm

商標(biāo): Infineon Technologies

柵極—射極漏泄電流: 100 nA

產(chǎn)品類(lèi)型: IGBT Transistors

工廠包裝數(shù)量: 500

子類(lèi)別: IGBTs

商標(biāo)名: TRENCHSTOP

零件號(hào)別名: SP000683054 IKP4N6TXK IKP04N60TXKSA1

單位重量: 6 g

EX系列固態(tài)硬盤(pán)采用綠芯的 EnduroSLC® 技術(shù),支持4GB、8GB、20GB、40GB、80GB、160GB 和 320GB 容量,是綠芯基于SLC (每單元1比特) NAND的長(zhǎng)期支持計(jì)劃 (LTA) 產(chǎn)品 (http://bit.ly/SSD-LTA-program)。

NanEyeM的全數(shù)字輸出節(jié)省了外部模數(shù)轉(zhuǎn)換(ADC)的成本。

該模組可抗手術(shù)環(huán)境中醫(yī)療設(shè)備的磁干擾(EMI/EMC),無(wú)需同軸電纜或屏蔽電纜。預(yù)連接電纜避免了額外的購(gòu)置成本。

(素材來(lái)源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)

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