Microchip智能存儲(chǔ)適配器提供8至32個(gè)端口的NVMe 4.0和/或24G SAS驅(qū)動(dòng)器支持，并提供x8和x16 PCIe Gen 4 CPU接口選項(xiàng)，與前幾代產(chǎn)品相比，性能提升達(dá)4倍。

先進(jìn)的功能，如動(dòng)態(tài)通道復(fù)用（DCM）SAS鏈路聚合技術(shù)，提供大于99%的擴(kuò)展器連接鏈路效率，顯著提升了高密度存儲(chǔ)解決方案的性能。

這些適配器通過最新的NVMe和24G SAS介質(zhì)，靈活支持12G SAS及6G SATA SSD和HDD，為存儲(chǔ)適配器的安全性和性能樹立了行業(yè)新標(biāo)桿。

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TO-263-7

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 40 V

Id-連續(xù)漏極電流: 240 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 870 uOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V

Qg-柵極電荷: 290 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 300 W

通道模式: Enhancement

資格: AEC-Q101

封裝: Cut Tape

封裝: Reel

配置: Single

高度: 4.4 mm

長度: 10 mm

晶體管類型: 1 N-Channel

寬度: 9.25 mm

商標(biāo): Infineon Technologies

下降時(shí)間: 59 ns

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時(shí)間: 28 ns

工廠包裝數(shù)量: 1000

子類別: MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 64 ns

典型接通延遲時(shí)間: 55 ns

零件號(hào)別名: IPB240N04S4-R9 SP000952896

單位重量: 1.600 g

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