DK-ILT001由小巧輕便的硬件模塊和專用固件組成，可以輕松提供快速移動物體的精確3D點云數(shù)據(jù)。

Plato NE 也具有為小占地面積而設(shè)計的外殼，高度僅為 38.5 毫米。纖薄的機身，使之能夠輕松安裝在壁掛式機架、機柜或服務(wù)器主板上，或者電視、顯示器、商業(yè)顯示屏的背部。

此外得益于增加的長度和寬度，Plato NE 依然能夠兼顧高效的散熱與靜音體驗。

隨時更換 Compute 或 Board Element，然后將整個裝置放入合適的機箱中 —— 比如來自 Akasa 的 Newton NE 與 Plato NE 。

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS: 詳細信息

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: PG-TO-263-7

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 100 V

Id-連續(xù)漏極電流: 180 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 2.5 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V

Qg-柵極電荷: 156 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 300 W

通道模式: Enhancement

資格: AEC-Q101

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

配置: Single

高度: 4.4 mm

長度: 10 mm

系列: IPB180N10

晶體管類型: 1 N-Channel

寬度: 9.25 mm

商標(biāo): Infineon Technologies

下降時間: 40 ns

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時間: 9 ns

工廠包裝數(shù)量: 1000

子類別: MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時間: 30 ns

典型接通延遲時間: 15 ns

零件號別名: IPB180N10S4-02 SP001057184

單位重量: 1.600 g

ILT開發(fā)套件(DK-ILT001)將簡易的紅外激光投影儀與標(biāo)準CMOS圖像傳感器相結(jié)合，以每秒600多幀(FPS)的速度實現(xiàn)3D成像，或使用簡單的Raspberry Pi主機達到最高120 FPS的成像速度。

DK-ILT001將作為入門級模塊發(fā)布，它能用于對快速、準確且反應(yīng)靈敏的3D傳感技術(shù)進行很方便的評估，并支持新的軟件應(yīng)用程序的開發(fā)。

它支持符合行業(yè)標(biāo)準的中間件，包括：OpenCV、PCL、Open3D、ROS和Unity，以及C++和Python，用戶可使用這些中間件毫不費力地快速地構(gòu)建自己想要的3D傳感系統(tǒng)。

(素材來源：eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝）