新的60安培保險絲盒是用六角螺絲設(shè)計的系列產(chǎn)品
發(fā)布時間:2023/1/31 21:31:45 訪問次數(shù):83
當(dāng)主要的OEM向Littelfuse提出他們在安裝擰緊過程中遇到的挑戰(zhàn)時,我們立即致力于幫助他們找到解決方案。 新的60安培保險絲盒是用六角螺絲設(shè)計的系列產(chǎn)品的一部分,該應(yīng)用需要精確且可重復(fù)以提高制造效率并生產(chǎn)高質(zhì)量的產(chǎn)品。
10款適用于工業(yè)設(shè)備開關(guān)電源的新一代80 V N溝道功率MOSFET“U-MOSⅩ-H系列”產(chǎn)品。
共提供三種類型的封裝: “TK2R4E08QM、TK3R3E08QM、 TK5R3E08QM 和 TK7R0E08QM” 采用雙列直插式封裝TO-220.
制造商:Infineon 產(chǎn)品種類:門驅(qū)動器 產(chǎn)品:IGBT, MOSFET Gate Drivers 類型:High Side, Low Side 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 激勵器數(shù)量:1 Driver 輸出端數(shù)量:1 Output 輸出電流:200 mA 電源電壓-最小:10 V 電源電壓-最大:20 V 配置:High Side, Low Side 上升時間:80 ns 下降時間:40 ns 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 125 C 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 高度:1.5 mm 長度:5 mm 技術(shù):Si 寬度:4 mm 商標(biāo):Infineon / IR 邏輯類型:CMOS, TTL 傳播延遲—最大值:200 ns 最大關(guān)閉延遲時間:150 ns 最大開啟延遲時間:150 ns 濕度敏感性:Yes 工作電源電流:120 uA Pd-功率耗散:625 mW 產(chǎn)品類型:Gate Drivers 工廠包裝數(shù)量2500 子類別:PMIC - Power Management ICs 零件號別名:IRS2127STRPBF SP001545622 單位重量:540 mg
新型保護元件的設(shè)計滿足IEC 61000-4-2標(biāo)準(zhǔn),其ESD接觸放電電壓可達(dá)24 kV,大幅領(lǐng)先于標(biāo)準(zhǔn)要求。
I/O接口的雙向保護
ESD 保護性能滿足 IEC 61000-4-2 標(biāo)準(zhǔn)要求
接觸放電電壓最高可達(dá) 24 kV
浪涌電流負(fù)載能力高達(dá) 8 A,滿足IEC 61000-4-5 (8/20 μs) 標(biāo)準(zhǔn)要求
鉗位電壓:8 V
400 x 200 μm2 或 600 x 300 μm2的芯片級封裝,占用空間極小
超低封裝高度:僅100 μm
當(dāng)主要的OEM向Littelfuse提出他們在安裝擰緊過程中遇到的挑戰(zhàn)時,我們立即致力于幫助他們找到解決方案。 新的60安培保險絲盒是用六角螺絲設(shè)計的系列產(chǎn)品的一部分,該應(yīng)用需要精確且可重復(fù)以提高制造效率并生產(chǎn)高質(zhì)量的產(chǎn)品。
10款適用于工業(yè)設(shè)備開關(guān)電源的新一代80 V N溝道功率MOSFET“U-MOSⅩ-H系列”產(chǎn)品。
共提供三種類型的封裝: “TK2R4E08QM、TK3R3E08QM、 TK5R3E08QM 和 TK7R0E08QM” 采用雙列直插式封裝TO-220.
制造商:Infineon 產(chǎn)品種類:門驅(qū)動器 產(chǎn)品:IGBT, MOSFET Gate Drivers 類型:High Side, Low Side 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 激勵器數(shù)量:1 Driver 輸出端數(shù)量:1 Output 輸出電流:200 mA 電源電壓-最小:10 V 電源電壓-最大:20 V 配置:High Side, Low Side 上升時間:80 ns 下降時間:40 ns 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 125 C 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 高度:1.5 mm 長度:5 mm 技術(shù):Si 寬度:4 mm 商標(biāo):Infineon / IR 邏輯類型:CMOS, TTL 傳播延遲—最大值:200 ns 最大關(guān)閉延遲時間:150 ns 最大開啟延遲時間:150 ns 濕度敏感性:Yes 工作電源電流:120 uA Pd-功率耗散:625 mW 產(chǎn)品類型:Gate Drivers 工廠包裝數(shù)量2500 子類別:PMIC - Power Management ICs 零件號別名:IRS2127STRPBF SP001545622 單位重量:540 mg
新型保護元件的設(shè)計滿足IEC 61000-4-2標(biāo)準(zhǔn),其ESD接觸放電電壓可達(dá)24 kV,大幅領(lǐng)先于標(biāo)準(zhǔn)要求。
I/O接口的雙向保護
ESD 保護性能滿足 IEC 61000-4-2 標(biāo)準(zhǔn)要求
接觸放電電壓最高可達(dá) 24 kV
浪涌電流負(fù)載能力高達(dá) 8 A,滿足IEC 61000-4-5 (8/20 μs) 標(biāo)準(zhǔn)要求
鉗位電壓:8 V
400 x 200 μm2 或 600 x 300 μm2的芯片級封裝,占用空間極小
超低封裝高度:僅100 μm
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