高磁導(dǎo)率/低損耗的金屬磁性材料在1-2.5MHz頻帶實(shí)現(xiàn)高Q
發(fā)布時(shí)間:2021/8/1 10:55:08 訪問(wèn)次數(shù):309
單芯片、高集成度、低功耗、多通道集成電路(IC) ,搭載了Microchip被廣泛采用的可靠的IEEE 1588精確時(shí)間協(xié)議(PTP)和時(shí)鐘恢復(fù)算法軟件模塊,讓實(shí)現(xiàn)5G性能成為可能。
ZL3073x/63x/64x網(wǎng)絡(luò)同步平臺(tái)實(shí)現(xiàn)了復(fù)雜的測(cè)量、校準(zhǔn)和調(diào)整功能,從而顯著降低了網(wǎng)絡(luò)設(shè)備時(shí)間誤差,以滿足最嚴(yán)格的5G要求。
實(shí)現(xiàn)必要信道密度的獨(dú)特靈活架構(gòu)以及高性能、低抖動(dòng)合成器有助于簡(jiǎn)化5G無(wú)線接入網(wǎng)(RAN)的時(shí)序卡、線路卡、無(wú)線單元(RU)、集中單元(CU)和分布式單元(DU)的設(shè)計(jì)。
高磁導(dǎo)率/低損耗的金屬磁性材料,進(jìn)行優(yōu)化后,在1~2.5MHz頻帶實(shí)現(xiàn)了高Q。Q越高ACR越低,這樣可以獲得較高的電源效率。
小型電池驅(qū)動(dòng)的可穿戴設(shè)備要求小功率,所以電源驅(qū)動(dòng)方式使用PFM(Pulse Frequency Modulation)。
PFM與PWM(Pulse Width Modulation)比較,DC偏置電流小,所以有可以降低功率的優(yōu)點(diǎn),但AC偏置電流變大,可以抑制漏磁通。
ACR特性變得很重要,使用Hi-Q,低ACR的電感器,可以實(shí)現(xiàn)較高的電源效率,確保上下磁性材料厚度.
(素材來(lái)源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)
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ZL3073x/63x/64x網(wǎng)絡(luò)同步平臺(tái)實(shí)現(xiàn)了復(fù)雜的測(cè)量、校準(zhǔn)和調(diào)整功能,從而顯著降低了網(wǎng)絡(luò)設(shè)備時(shí)間誤差,以滿足最嚴(yán)格的5G要求。
實(shí)現(xiàn)必要信道密度的獨(dú)特靈活架構(gòu)以及高性能、低抖動(dòng)合成器有助于簡(jiǎn)化5G無(wú)線接入網(wǎng)(RAN)的時(shí)序卡、線路卡、無(wú)線單元(RU)、集中單元(CU)和分布式單元(DU)的設(shè)計(jì)。
高磁導(dǎo)率/低損耗的金屬磁性材料,進(jìn)行優(yōu)化后,在1~2.5MHz頻帶實(shí)現(xiàn)了高Q。Q越高ACR越低,這樣可以獲得較高的電源效率。
小型電池驅(qū)動(dòng)的可穿戴設(shè)備要求小功率,所以電源驅(qū)動(dòng)方式使用PFM(Pulse Frequency Modulation)。
PFM與PWM(Pulse Width Modulation)比較,DC偏置電流小,所以有可以降低功率的優(yōu)點(diǎn),但AC偏置電流變大,可以抑制漏磁通。
ACR特性變得很重要,使用Hi-Q,低ACR的電感器,可以實(shí)現(xiàn)較高的電源效率,確保上下磁性材料厚度.
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