通過板載I2C接口和GPIO引腳實(shí)現(xiàn)對(duì)電源傳輸策略的外部控制
發(fā)布時(shí)間:2021/8/1 10:50:57 訪問次數(shù):199
增強(qiáng)的耐用性和穩(wěn)定性的工業(yè)級(jí) DDR5 內(nèi)存。這些新 DRAM 模組結(jié)合了先進(jìn)的 DDR5 技術(shù),以及 SMART Modular 獨(dú)特且嚴(yán)格的測(cè)試流程,使之能夠在工業(yè)級(jí)的 -40℃ 到 +85℃ 溫度范圍下可靠運(yùn)行。
金屬功率電感器PLE系列是一種高效率、低漏磁通的超小型功率電感器,在可穿戴設(shè)備上搭載的小型電池上運(yùn)行時(shí)可發(fā)揮很好的效果。
PLE系列的關(guān)鍵技術(shù)之一是一種工藝技術(shù):薄膜工法。薄膜工法有以下特點(diǎn),實(shí)現(xiàn)高精度的積層,可以抑制偏差,實(shí)現(xiàn)2圈/層以上,在小導(dǎo)體專用面積上實(shí)現(xiàn)了高電感。
制造商:Nexperia 產(chǎn)品種類:雙極晶體管 - 雙極結(jié)型晶體管(BJT) RoHS: 詳細(xì)信息 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-3 晶體管極性:NPN 配置:Single 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:45 V 集電極—基極電壓 VCBO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:6 V 最大直流電集電極電流:0.1 A Pd-功率耗散:250 mW 增益帶寬產(chǎn)品fT:100 MHz 最小工作溫度:- 65 C 最大工作溫度:+ 150 C 資格:AEC-Q101 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 直流電流增益 hFE 最大值:420 at 2 mA, 5 V 高度:1 mm 長(zhǎng)度:3 mm 技術(shù):Si 寬度:1.4 mm 商標(biāo):Nexperia 直流集電極/Base Gain hfe Min:420 at 2 mA, 5 V 產(chǎn)品類型:BJTs - Bipolar Transistors 工廠包裝數(shù)量:3000 子類別:Transistors 零件號(hào)別名:933589600215 單位重量:26 mg
USB電源傳輸?shù)南冗M(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)方面的專業(yè)技能,F(xiàn)TDI芯片現(xiàn)在宣布了一個(gè)新的開發(fā)解決方案。該硬件基于FT4233HP多通道接口IC。
這些配置文件可以通過連接外部EEPROM存儲(chǔ)器來配置,并通過LED來指示正在使用哪個(gè)PDO配置文件。
雖然第一個(gè)端口提供USB數(shù)據(jù)傳輸和電源傳輸,但第二個(gè)端口僅具有電源傳輸功能。還包括一個(gè)功率傳遞功能,第二個(gè)端口上的輸入功率傳遞給第一個(gè)端口。
通過板載I2C接口和GPIO引腳,實(shí)現(xiàn)對(duì)電源傳輸策略的外部控制,這樣可以調(diào)整電壓調(diào)節(jié)器和負(fù)載開關(guān)。
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)
增強(qiáng)的耐用性和穩(wěn)定性的工業(yè)級(jí) DDR5 內(nèi)存。這些新 DRAM 模組結(jié)合了先進(jìn)的 DDR5 技術(shù),以及 SMART Modular 獨(dú)特且嚴(yán)格的測(cè)試流程,使之能夠在工業(yè)級(jí)的 -40℃ 到 +85℃ 溫度范圍下可靠運(yùn)行。
金屬功率電感器PLE系列是一種高效率、低漏磁通的超小型功率電感器,在可穿戴設(shè)備上搭載的小型電池上運(yùn)行時(shí)可發(fā)揮很好的效果。
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制造商:Nexperia 產(chǎn)品種類:雙極晶體管 - 雙極結(jié)型晶體管(BJT) RoHS: 詳細(xì)信息 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-3 晶體管極性:NPN 配置:Single 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:45 V 集電極—基極電壓 VCBO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:6 V 最大直流電集電極電流:0.1 A Pd-功率耗散:250 mW 增益帶寬產(chǎn)品fT:100 MHz 最小工作溫度:- 65 C 最大工作溫度:+ 150 C 資格:AEC-Q101 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 直流電流增益 hFE 最大值:420 at 2 mA, 5 V 高度:1 mm 長(zhǎng)度:3 mm 技術(shù):Si 寬度:1.4 mm 商標(biāo):Nexperia 直流集電極/Base Gain hfe Min:420 at 2 mA, 5 V 產(chǎn)品類型:BJTs - Bipolar Transistors 工廠包裝數(shù)量:3000 子類別:Transistors 零件號(hào)別名:933589600215 單位重量:26 mg
USB電源傳輸?shù)南冗M(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)方面的專業(yè)技能,F(xiàn)TDI芯片現(xiàn)在宣布了一個(gè)新的開發(fā)解決方案。該硬件基于FT4233HP多通道接口IC。
這些配置文件可以通過連接外部EEPROM存儲(chǔ)器來配置,并通過LED來指示正在使用哪個(gè)PDO配置文件。
雖然第一個(gè)端口提供USB數(shù)據(jù)傳輸和電源傳輸,但第二個(gè)端口僅具有電源傳輸功能。還包括一個(gè)功率傳遞功能,第二個(gè)端口上的輸入功率傳遞給第一個(gè)端口。
通過板載I2C接口和GPIO引腳,實(shí)現(xiàn)對(duì)電源傳輸策略的外部控制,這樣可以調(diào)整電壓調(diào)節(jié)器和負(fù)載開關(guān)。
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