電流傳輸比的穩(wěn)定度提高50倍射頻連續(xù)波輸入功率高達100W
發(fā)布時間:2021/8/1 18:05:41 訪問次數(shù):256
MAX22530隔離式、可自供電的現(xiàn)場側(cè)12位系統(tǒng)監(jiān)測器,進一步擴展其MAXSafe™技術(shù)產(chǎn)品線。
MAX22530具有4個通道,提供隔離系統(tǒng)監(jiān)測,通過將5個器件集成到單片IC,將精度高50倍、方案尺寸縮小40%。
自動化系統(tǒng)設計師不斷尋求節(jié)省電路板空間、提高通道密度,并且能夠改進電壓和電流輸入監(jiān)測精度的途徑,從而使操作人員能夠更精細地監(jiān)測系統(tǒng),縮短系統(tǒng)停工時間。
這種組合使其電流傳輸比的穩(wěn)定度提高50倍,可以獲得超穩(wěn)定的檢流電阻的電壓。
制造商:Diodes Incorporated 產(chǎn)品種類:MOSFET 技術(shù):Si 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-3 晶體管極性:P-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:20 V Id-連續(xù)漏極電流:3.3 A Rds On-漏源導通電阻:75 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 12 V, + 12 V Vgs th-柵源極閾值電壓:400 mV Qg-柵極電荷:6.5 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:1.4 W 通道模式:Enhancement 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Single 高度:1 mm 長度:2.9 mm 產(chǎn)品:MOSFET Small Signal 晶體管類型:1 P-Channel 寬度:1.3 mm 商標:Diodes Incorporated 正向跨導 - 最小值:7 S 下降時間:22.2 ns 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時間:10.3 ns 工廠包裝數(shù)量3000 子類別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時間:46.5 ns 典型接通延遲時間:12.5 ns 單位重量:8 mg
所有元件均符合EAR99,并滿足海拔、振動、濕度和沖擊的一系列環(huán)境條件。
新型GaN PIN二極管開關(guān)具有出色的熱性能、功率容積比和高擊穿電壓,從而可以在小型和緊湊型封裝中體現(xiàn)出最高水準的功率處理能力。
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
MAX22530隔離式、可自供電的現(xiàn)場側(cè)12位系統(tǒng)監(jiān)測器,進一步擴展其MAXSafe™技術(shù)產(chǎn)品線。
MAX22530具有4個通道,提供隔離系統(tǒng)監(jiān)測,通過將5個器件集成到單片IC,將精度高50倍、方案尺寸縮小40%。
自動化系統(tǒng)設計師不斷尋求節(jié)省電路板空間、提高通道密度,并且能夠改進電壓和電流輸入監(jiān)測精度的途徑,從而使操作人員能夠更精細地監(jiān)測系統(tǒng),縮短系統(tǒng)停工時間。
這種組合使其電流傳輸比的穩(wěn)定度提高50倍,可以獲得超穩(wěn)定的檢流電阻的電壓。
制造商:Diodes Incorporated 產(chǎn)品種類:MOSFET 技術(shù):Si 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-3 晶體管極性:P-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:20 V Id-連續(xù)漏極電流:3.3 A Rds On-漏源導通電阻:75 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 12 V, + 12 V Vgs th-柵源極閾值電壓:400 mV Qg-柵極電荷:6.5 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:1.4 W 通道模式:Enhancement 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Single 高度:1 mm 長度:2.9 mm 產(chǎn)品:MOSFET Small Signal 晶體管類型:1 P-Channel 寬度:1.3 mm 商標:Diodes Incorporated 正向跨導 - 最小值:7 S 下降時間:22.2 ns 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時間:10.3 ns 工廠包裝數(shù)量3000 子類別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時間:46.5 ns 典型接通延遲時間:12.5 ns 單位重量:8 mg
所有元件均符合EAR99,并滿足海拔、振動、濕度和沖擊的一系列環(huán)境條件。
新型GaN PIN二極管開關(guān)具有出色的熱性能、功率容積比和高擊穿電壓,從而可以在小型和緊湊型封裝中體現(xiàn)出最高水準的功率處理能力。
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
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