通過傳感器模塊發(fā)出短超聲波脈沖，隨后在碰觸物體表面后反射回模塊，發(fā)出到接收脈沖之間的時間與模塊和物體間的距離成正比。

截止目前，大多數(shù)可用的超聲波模塊都配備兩個分別用于發(fā)射和接收超聲波脈沖的壓電盤。

TDK現(xiàn)已開發(fā)出一種超緊湊的創(chuàng)新型模塊，只用一個陶瓷壓電盤就能發(fā)射和接收超聲波脈沖，并且采用ASIC芯片生成和處理信號。

除ASIC芯片之外，該超聲波模塊還集成了EEPROM和RAM，允許用戶調(diào)整模塊以適應(yīng)特定工作條件。

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS: 詳細(xì)信息

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TO-263-3

晶體管極性: P-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 40 V

Id-連續(xù)漏極電流: 80 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 5.5 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 16 V, + 16 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.2 V

Qg-柵極電荷: 104 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 88 W

通道模式: Enhancement

資格: AEC-Q101

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

配置: Single

高度: 4.4 mm

長度: 10 mm

系列: xPB80P04

晶體管類型: 1 P-Channel

寬度: 9.25 mm

商標(biāo): Infineon Technologies

下降時間: 44 ns

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時間: 12 ns

工廠包裝數(shù)量: 1000

子類別: MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時間: 61 ns

典型接通延遲時間: 17 ns

零件號別名: IPB80P04P4L-06 SP000842046

單位重量: 4 g

具有中等檢測范圍的IUT-F190-B40利用這些接口技術(shù)，可以快速輕松地集成到OT和IT系統(tǒng)中，從而為生產(chǎn)控制和監(jiān)控、追溯應(yīng)用以及工廠自動化中的其他工業(yè)4.0應(yīng)用提供了一種極富吸引力的解決方案。

GR系列包括一系列IP66 / NEMA 4X外殼，這些外殼由抗靜電、高強度的玻纖增強聚酯制成。這種紫外線穩(wěn)定的材料非常耐用，并具有出色的耐腐蝕性。

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