ROHM一直在大力推動業(yè)內先進的SiC元器件和各種具有優(yōu)勢的硅元器件的開發(fā)與量產，以及在中等耐壓范圍具有出色的高頻工作性能的GaN器件的開發(fā)。

全新款FLIR GF77是一款突破性的非制冷型光學氣體成像紅外熱像儀，可更換鏡頭檢測多種氣體。

在這種背景下，ROHM利用自有的結構，成功地將柵極-源極間額定電壓從常規(guī)的6V提高到了8V，這將有助于提高采用高效率的GaN器件的電源電路的設計裕度和可靠性。

在明亮的陽光直射條件下，可切換至取景器模式，確保獲得最佳效果。

制造商:Infineon 產品種類:MOSFET 技術:Si 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SO-8 晶體管極性:N-Channel 通道數量:2 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:55 V Id-連續(xù)漏極電流:4.7 A Rds On-漏源導通電阻:56 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:1 V Qg-柵極電荷:24 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:2 W 通道模式:Enhancement 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Dual 高度:1.75 mm 長度:4.9 mm 晶體管類型:2 N-Channel 寬度:3.9 mm 商標:Infineon / IR 正向跨導 - 最小值:7.9 S 下降時間:13 ns 產品類型:MOSFET 上升時間:3.2 ns 工廠包裝數量4000 子類別:MOSFETs 典型關閉延遲時間:32 ns 典型接通延遲時間:8.3 ns 單位重量:540 mg

ADAQ23875采用Analog Devices的iPassives®技術，還集成了具有出色匹配和漂移特性的關鍵無源元件，通過優(yōu)化性能可最大程度地減少與溫度有關的誤差源。

ADC驅動級快速穩(wěn)定、全差分或單端至差分輸入、無延遲SAR ADC等特性，為高通道數多路復用信號鏈架構和控制環(huán)路應用提供了獨特的解決方案。

ADAQ23875采用9 mm×9 mm封裝，是分立式等效器件的四分之一，可進一步減小儀器儀表的外形尺寸，而不影響其性能。

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