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溫度降額曲線隔離電壓1500VDC紋波噪聲低100mV輸出效率高達(dá)93%

發(fā)布時(shí)間:2021/8/8 9:39:49 訪問(wèn)次數(shù):406

金升陽(yáng)自主研發(fā)芯片與同類型其他芯片在性能相當(dāng)前提下,價(jià)格更低,性價(jià)比更高。

經(jīng)濟(jì)型電源產(chǎn)品滿足IEC/UL/EN62368及DOSA標(biāo)準(zhǔn),工作溫度范圍寬至-40℃ to +100℃,具有優(yōu)良的溫度降額曲線,隔離電壓為1500VDC,紋波噪聲低至100mV,輸出效率高達(dá)93%。

輕載(10%)效率高達(dá)85%,空載損耗低至0.96W,可大幅降低客戶系統(tǒng)待機(jī)功耗。

除此之外,此系列產(chǎn)品所有器件均涂覆三防漆,保護(hù)線路板免受壞境的侵蝕,具有輸入欠壓保護(hù)、過(guò)流、短路等保護(hù)功能,可有效防止客戶系統(tǒng)或設(shè)備工作異常造成不必要的損失。

制造商: Texas Instruments

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS: 詳細(xì)信息

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: Through Hole

封裝 / 箱體: TO-220-3

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 100 V

Id-連續(xù)漏極電流: 187 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 3.6 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.2 V

Qg-柵極電荷: 78 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 300 W

通道模式: Enhancement

商標(biāo)名: NexFET

封裝: Tube

配置: Single

高度: 16.51 mm

長(zhǎng)度: 10.67 mm

系列: CSD19535KCS

晶體管類型: 1 N-Channel

寬度: 4.7 mm

商標(biāo): Texas Instruments

正向跨導(dǎo) - 最小值: 274 S

下降時(shí)間: 5 ns

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時(shí)間: 15 ns

工廠包裝數(shù)量: 50

子類別: MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 60 ns

典型接通延遲時(shí)間: 32 ns

單位重量: 2 g

產(chǎn)品特點(diǎn)

效率高達(dá)95%

空載輸入電流低至0.2mA

工作溫度范圍:-40℃ to +85℃

可持續(xù)短路保護(hù)

超小體積

SIP系列支持負(fù)輸出

自動(dòng)化程度高

滿足EN 62368標(biāo)準(zhǔn)(認(rèn)證中)

(素材來(lái)源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)

金升陽(yáng)自主研發(fā)芯片與同類型其他芯片在性能相當(dāng)前提下,價(jià)格更低,性價(jià)比更高。

經(jīng)濟(jì)型電源產(chǎn)品滿足IEC/UL/EN62368及DOSA標(biāo)準(zhǔn),工作溫度范圍寬至-40℃ to +100℃,具有優(yōu)良的溫度降額曲線,隔離電壓為1500VDC,紋波噪聲低至100mV,輸出效率高達(dá)93%。

輕載(10%)效率高達(dá)85%,空載損耗低至0.96W,可大幅降低客戶系統(tǒng)待機(jī)功耗。

除此之外,此系列產(chǎn)品所有器件均涂覆三防漆,保護(hù)線路板免受壞境的侵蝕,具有輸入欠壓保護(hù)、過(guò)流、短路等保護(hù)功能,可有效防止客戶系統(tǒng)或設(shè)備工作異常造成不必要的損失。

制造商: Texas Instruments

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS: 詳細(xì)信息

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: Through Hole

封裝 / 箱體: TO-220-3

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 100 V

Id-連續(xù)漏極電流: 187 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 3.6 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.2 V

Qg-柵極電荷: 78 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 300 W

通道模式: Enhancement

商標(biāo)名: NexFET

封裝: Tube

配置: Single

高度: 16.51 mm

長(zhǎng)度: 10.67 mm

系列: CSD19535KCS

晶體管類型: 1 N-Channel

寬度: 4.7 mm

商標(biāo): Texas Instruments

正向跨導(dǎo) - 最小值: 274 S

下降時(shí)間: 5 ns

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時(shí)間: 15 ns

工廠包裝數(shù)量: 50

子類別: MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 60 ns

典型接通延遲時(shí)間: 32 ns

單位重量: 2 g

產(chǎn)品特點(diǎn)

效率高達(dá)95%

空載輸入電流低至0.2mA

工作溫度范圍:-40℃ to +85℃

可持續(xù)短路保護(hù)

超小體積

SIP系列支持負(fù)輸出

自動(dòng)化程度高

滿足EN 62368標(biāo)準(zhǔn)(認(rèn)證中)

(素材來(lái)源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)

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