充電樁的功率已高達(dá)120KW到180KW。同樣，5G領(lǐng)域也很講求功率的高效性，5G基站單站滿載功率近3700W，約為4G基站的2.5~3.5倍，電費(fèi)亦會(huì)隨之攀升至3G、4G的4~5倍之大。

功率MOSFET中TO-247封裝是充電機(jī)、充電樁和基站高功率電源模塊應(yīng)用中最通用的封裝形式。

針對(duì)超低內(nèi)阻高壓MOS產(chǎn)品需求，在常規(guī)TO-247封裝不能滿足情況下，電源工程師往往會(huì)使用諸如TO-247MAX,、TO-3P(L) 、TO-264、PLUS TO-247等超大體積封裝來(lái)代替。

這種超大封裝不僅不通用，且成本較高。

制造商:Vishay產(chǎn)品種類:MOSFETRoHS: 技術(shù):Si安裝風(fēng)格:Through Hole封裝 / 箱體:TO-220AB-3晶體管極性:N-Channel通道數(shù)量:1 ChannelVds-漏源極擊穿電壓:1 kVId-連續(xù)漏極電流:3.1 ARds On-漏源導(dǎo)通電阻:5 OhmsVgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 VVgs th-柵源極閾值電壓:4 VQg-柵極電荷:80 nC最小工作溫度:- 55 C最大工作溫度:+ 150 CPd-功率耗散:125 W通道模式:Enhancement封裝:Tube配置:Single系列:晶體管類型:1 N-Channel商標(biāo):Vishay Semiconductors下降時(shí)間:29 ns產(chǎn)品類型:MOSFET上升時(shí)間:25 ns1000子類別:MOSFETs典型關(guān)閉延遲時(shí)間:89 ns典型接通延遲時(shí)間:12 ns零件號(hào)別名:IRFBG30PBF-BE3單位重量:2 g

集成使用了SensiML的原始傳感器數(shù)據(jù)收集接口，我們?cè)赟ilicon Labs提供的可用固件中稱為簡(jiǎn)單的流接口，允許在Thunderboard和SensiML數(shù)據(jù)捕獲實(shí)驗(yàn)室之間直接連接。

默認(rèn)的固件構(gòu)建支持集成的6軸運(yùn)動(dòng)傳感器的流媒體，提供加速度計(jì)和陀螺傳感器數(shù)據(jù)，以及音頻傳感器從車載數(shù)字麥克風(fēng)流媒體。

用戶還可以隨時(shí)修改和擴(kuò)展簡(jiǎn)單的流接口和默認(rèn)固件，以適應(yīng)自定義硬件和傳感器配置以及安裝在Thunderboard PCB上的額外可用傳感器。

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