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測量流經(jīng)匯流排或PCB跡線100A至4000A以上電流和觸覺效果

發(fā)布時間:2021/8/9 7:35:21 訪問次數(shù):276

新型無芯霍爾效應電流傳感器ACS37610,這款產(chǎn)品可理想用于要求苛刻的汽車和工業(yè)等系統(tǒng),具有更高的準確性和靈敏度,并可提供高級故障檢測功能以及用戶可編程性。

新型電流傳感器ACS37610與ACS37612一起,成為業(yè)界第一個真正無芯霍爾傳感解決方案系列,能夠測量流經(jīng)匯流排或PCB跡線100A至4000A以上電流,典型精度為1%,且無需外部集磁器或U-形磁屏蔽。

這些創(chuàng)新解決方案使系統(tǒng)設計人員能夠提高效率和功率密度,同時降低系統(tǒng)復雜性、BOM成本、占位面積和重量。

制造商: Texas Instruments

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS: 詳細信息

技術: Si

安裝風格: Through Hole

封裝 / 箱體: TO-220-3

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V

Id-連續(xù)漏極電流: 170 A

Rds On-漏源導通電阻: 4 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.5 V

Qg-柵極電荷: 44 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 200 W

通道模式: Enhancement

商標名: NexFET

封裝: Tube

配置: Single

高度: 16.51 mm

長度: 10.67 mm

系列: CSD18542KCS

晶體管類型: 1 N-Channel

寬度: 4.7 mm

商標: Texas Instruments

正向跨導 - 最小值: 198 S

下降時間: 21 ns

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時間: 5 ns

工廠包裝數(shù)量: 50

子類別: MOSFETs

典型關閉延遲時間: 18 ns

典型接通延遲時間: 6 ns

單位重量: 2 g


創(chuàng)新觸覺解決方案:壓電聚合物薄膜觸覺執(zhí)行器。當將這種執(zhí)行器直接嵌入到產(chǎn)品表面時,它可以充當觸覺皮膚,提供當前市場上其他觸覺解決方案所不具備的局部身體感覺和觸覺效果。

薄膜執(zhí)行器使設計工程師能夠利用高性能執(zhí)行器實現(xiàn)各種高級觸摸解決方案,滿足包括遠程控制、智能按鈕、醫(yī)療設備、AR/VR以及與手、手指、頭部和嘴唇接觸的任何物品在內(nèi)的廣泛應用之所需。

其在智能手機上不斷增長的應用將會推動這一增長。盡管如此,這種技術也開始在其他行業(yè)和產(chǎn)品中不斷涌現(xiàn),借此就可利用更新、更先進的觸覺技術在性能和多功能性方面實現(xiàn)顯著改善。


(素材來源:eccn和ttic.如涉版權請聯(lián)系刪除。特別感謝)

新型無芯霍爾效應電流傳感器ACS37610,這款產(chǎn)品可理想用于要求苛刻的汽車和工業(yè)等系統(tǒng),具有更高的準確性和靈敏度,并可提供高級故障檢測功能以及用戶可編程性。

新型電流傳感器ACS37610與ACS37612一起,成為業(yè)界第一個真正無芯霍爾傳感解決方案系列,能夠測量流經(jīng)匯流排或PCB跡線100A至4000A以上電流,典型精度為1%,且無需外部集磁器或U-形磁屏蔽。

這些創(chuàng)新解決方案使系統(tǒng)設計人員能夠提高效率和功率密度,同時降低系統(tǒng)復雜性、BOM成本、占位面積和重量。

制造商: Texas Instruments

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS: 詳細信息

技術: Si

安裝風格: Through Hole

封裝 / 箱體: TO-220-3

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V

Id-連續(xù)漏極電流: 170 A

Rds On-漏源導通電阻: 4 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.5 V

Qg-柵極電荷: 44 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 200 W

通道模式: Enhancement

商標名: NexFET

封裝: Tube

配置: Single

高度: 16.51 mm

長度: 10.67 mm

系列: CSD18542KCS

晶體管類型: 1 N-Channel

寬度: 4.7 mm

商標: Texas Instruments

正向跨導 - 最小值: 198 S

下降時間: 21 ns

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時間: 5 ns

工廠包裝數(shù)量: 50

子類別: MOSFETs

典型關閉延遲時間: 18 ns

典型接通延遲時間: 6 ns

單位重量: 2 g


創(chuàng)新觸覺解決方案:壓電聚合物薄膜觸覺執(zhí)行器。當將這種執(zhí)行器直接嵌入到產(chǎn)品表面時,它可以充當觸覺皮膚,提供當前市場上其他觸覺解決方案所不具備的局部身體感覺和觸覺效果。

薄膜執(zhí)行器使設計工程師能夠利用高性能執(zhí)行器實現(xiàn)各種高級觸摸解決方案,滿足包括遠程控制、智能按鈕、醫(yī)療設備、AR/VR以及與手、手指、頭部和嘴唇接觸的任何物品在內(nèi)的廣泛應用之所需。

其在智能手機上不斷增長的應用將會推動這一增長。盡管如此,這種技術也開始在其他行業(yè)和產(chǎn)品中不斷涌現(xiàn),借此就可利用更新、更先進的觸覺技術在性能和多功能性方面實現(xiàn)顯著改善。


(素材來源:eccn和ttic.如涉版權請聯(lián)系刪除。特別感謝)

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