電感耦合等離子體(ICP)刻蝕設(shè)備Primo Twin-Star的刻蝕應(yīng)用

發(fā)布時間:2021/8/9 22:58:08 訪問次數(shù):459

DDR5的產(chǎn)品發(fā)布，涉及兩款全新架構(gòu)產(chǎn)品原型，分別是1Rank x8和2Rank x8標準型PC Unbuffered DIMM 288PIN On-die-ECC。相較于DDR4，DDR5在功能和性能上都得到了顯著提升。

Longsys DRAM研發(fā)經(jīng)過多年的潛心積累，在DDR5新一代產(chǎn)品上率先開展測試技術(shù)投入，此次測試特別選取了部分測試數(shù)據(jù)首次面向公眾開放。

Intel AlderLake-S ADP-S CRB開發(fā)板，搭配Longsys DDR5 32GB 4800內(nèi)存模組，并配置Windows 10 Pro x64操作系統(tǒng)，分別通過魯大師和AIDA64兩個熟知的軟件展示DDR5的真實數(shù)據(jù)。

制造商: Texas Instruments

產(chǎn)品種類: 開關(guān)穩(wěn)壓器

RoHS: 詳細信息

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: WSON-10

拓撲結(jié)構(gòu): Boost, Buck

輸出電壓: 1.8 V to 5 V

輸出電流: 400 mA

輸出端數(shù)量: 1 Output

最大輸入電壓: 5.5 V

最小輸入電壓: 1.8 V

靜態(tài)電流: 1 uA

開關(guān)頻率: Adjustable

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 125 C

系列: TPS63900

封裝: Cut Tape

封裝: Reel

商標: Texas Instruments

關(guān)閉: Shutdown

產(chǎn)品類型: Switching Voltage Regulators

工廠包裝數(shù)量: 3000

子類別: PMIC - Power Management ICs

電源電壓-最小: 1.8 V

新一代電感耦合等離子體（ICP）刻蝕設(shè)備Primo Twin-Star®，用于IC器件前道和后道制程導電/電介質(zhì)膜的刻蝕應(yīng)用。

單臺反應(yīng)器的電感耦合等離子體（ICP）刻蝕技術(shù)和雙臺反應(yīng)器的Primo平臺，Primo Twin-Star®為電介質(zhì)前道/后道制程、多晶硅刻蝕、DTI和BSI刻蝕等提供了高性價比的刻蝕解決方案。

DDR5 SDRAM內(nèi)存標準規(guī)范后,DDR5新技術(shù)應(yīng)用受到業(yè)內(nèi)的關(guān)注以及專業(yè)領(lǐng)域的探索。

緊跟存儲技術(shù)發(fā)展前沿，為了滿足行業(yè)的專業(yè)人士以及廣大用戶對未來產(chǎn)品技術(shù)發(fā)展的期望，進而為存儲行業(yè)應(yīng)用的未來提供更多可能性，在今天正式發(fā)布Longsys DDR5內(nèi)存模組產(chǎn)品（ES1）。

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