凝膠封裝(Gel package)的精確傳感器固件實(shí)現(xiàn)一個(gè)虛擬通信端口

發(fā)布時(shí)間:2021/8/11 23:13:43 訪問(wèn)次數(shù):499

三星半導(dǎo)體發(fā)布為中國(guó)數(shù)據(jù)中心客戶打造的新款高性能固態(tài)硬盤(pán)

PM9A3 U.2支持PCIe 4.0，是三星半導(dǎo)體專為中國(guó)數(shù)據(jù)中心客戶打造，此舉彰顯了三星半導(dǎo)體計(jì)劃進(jìn)一步加強(qiáng)與中國(guó)企業(yè)合作的決心。

PM9A3 U.2使用三星第六代3D閃存（V-NAND）技術(shù)，基于NVMe協(xié)議，完全符合開(kāi)放計(jì)算項(xiàng)目（OCP）NVMe 云端固態(tài)硬盤(pán)規(guī)范，并能根據(jù)數(shù)據(jù)中心需求，在性能、電源效率、可靠性、安全性等方面，提供高級(jí)別的解決方案。

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS: N

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: Through Hole

封裝 / 箱體: TO-220-3

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V

Id-連續(xù)漏極電流: 18 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 170 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 40 W

通道模式: Enhancement

封裝: Tube

配置: Single

高度: 15.65 mm

長(zhǎng)度: 10 mm

系列: BTS113

晶體管類型: 1 N-Channel

寬度: 4.4 mm

商標(biāo): Infineon Technologies

下降時(shí)間: 40 ns

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時(shí)間: 55 ns

工廠包裝數(shù)量: 500

子類別: MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 45 ns

典型接通延遲時(shí)間: 15 ns

零件號(hào)別名: SP000011187 BTS113ANKSA1

單位重量: 2 g

使用壽命計(jì)算工具可基于給定的負(fù)載條件計(jì)算元件的使用壽命，從而幫助工業(yè)設(shè)計(jì)人員選擇可滿足嚴(yán)苛應(yīng)用要求的解決方案。

采用緊湊凝膠封裝（Gel package）的精確傳感器，適用于可穿戴設(shè)備、消費(fèi)類和工業(yè)應(yīng)用.

該固件還實(shí)現(xiàn)了一個(gè)虛擬通信端口，用于訪問(wèn)內(nèi)部參數(shù)，讀取計(jì)量數(shù)據(jù)，修改內(nèi)部配置和校準(zhǔn)電路板。完全指定，經(jīng)過(guò)高達(dá) 160°C 結(jié)溫測(cè)試.

堅(jiān)固的封裝設(shè)計(jì)提供高水平保護(hù)，防止水和其他污染物的侵入.

(素材來(lái)源：eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝）