新一代高性能固態(tài)硬盤 -- PM9A3 U.2。PM9A3 U.2支持PCIe 4.0，是三星半導(dǎo)體專為中國數(shù)據(jù)中心客戶打造，此舉彰顯了三星半導(dǎo)體計劃進一步加強與中國企業(yè)合作的決心。

目前已量產(chǎn)的數(shù)據(jù)中心級固態(tài)硬盤產(chǎn)品中，PM9A3 U.2 實現(xiàn)了更高級別的隨機寫入性能，可滿足中國客戶的需求，更低的能耗有利于數(shù)據(jù)中心節(jié)省運營成本，有助于減少碳排放。

PM9A3 U.2搭載了支持PCIe 4.0技術(shù)的的全新控制器和三星第六代3D閃存（V-NAND）技術(shù)，并通過固件優(yōu)化實現(xiàn)了200K IOPS的穩(wěn)態(tài)隨機寫入性能，同比上一代產(chǎn)品PM983 U.2提升了4倍。

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS: N

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: Through Hole

封裝 / 箱體: TO-220-3

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V

Id-連續(xù)漏極電流: 18 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 170 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 40 W

通道模式: Enhancement

封裝: Tube

配置: Single

高度: 15.65 mm

長度: 10 mm

系列: BTS113

晶體管類型: 1 N-Channel

寬度: 4.4 mm

商標(biāo): Infineon Technologies

下降時間: 40 ns

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時間: 55 ns

工廠包裝數(shù)量: 500

子類別: MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時間: 45 ns

典型接通延遲時間: 15 ns

零件號別名: SP000011187 BTS113ANKSA1

單位重量: 2 g

在同類氣壓傳感器中封裝最小，便于集成至可穿戴設(shè)備和其他便攜式產(chǎn)品,在其使用壽命內(nèi)保持卓越的性能、精度和可靠性.

可穿戴式健身追蹤器正在迅速普及。氣壓傳感器使可穿戴設(shè)備能夠檢測到用戶的海拔變化，例如上下樓，以計算用戶燃燒的卡路里數(shù)量。

氣壓傳感器還不具備抗液體能力，因此將其集成到防水產(chǎn)品中一直是個挑戰(zhàn)，Bosch Sensortec開發(fā)出BMP384，這是一款堅固的氣壓傳感器，采用緊湊型封裝并提供領(lǐng)先市場的精度。

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