Murata“新的Type 1SJ LoRaWAN調(diào)制解調(diào)器模塊使設計人員能夠開發(fā)滿足最苛刻要求的產(chǎn)品，尤其是在資產(chǎn)跟蹤，公用事業(yè)，農(nóng)業(yè)，智能城市，智能建筑，工業(yè)和其他IoT應用程序等領(lǐng)域。

通過與Semtech合作提供這項產(chǎn)品，我們利用兩家公司的領(lǐng)導力和專業(yè)知識來創(chuàng)建物聯(lián)網(wǎng)市場最需要的解決方案。

LoRaWAN為客戶提供可訪問且易于使用的解決方案，使他們能夠開發(fā)安全的，下一代和創(chuàng)新的物聯(lián)網(wǎng)應用。

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS: 詳細信息

技術(shù): Si

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TO-263-3

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 40 V

Id-連續(xù)漏極電流: 80 A

Rds On-漏源導通電阻: 3.5 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 188 W

通道模式: Enhancement

資格: AEC-Q101

商標名: OptiMOS

封裝: Reel

配置: Single

高度: 4.4 mm

長度: 10 mm

系列: OptiMOS-T

晶體管類型: 1 N-Channel

寬度: 9.25 mm

商標: Infineon Technologies

下降時間: 14 ns

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時間: 17 ns

工廠包裝數(shù)量: 1000

子類別: MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時間: 39 ns

典型接通延遲時間: 25 ns

零件號別名: SP000260848 IPB8N4S33XT IPB80N04S303ATMA1

單位重量: 4 g

1SJ型LoRaWAN調(diào)制解調(diào)器模塊基于第二代Semtech SX1262射頻IC（RFIC），預裝了AT Command控制的調(diào)制解調(diào)器固件和帶有AT Command中間層的LoRaWAN堆棧。

紋波電流能力高達9.80A (400 V/100 Hz@60°C),非常適合用于要求苛刻電力電子器件。

其最高工作溫度達105°C，額定電壓范圍為400 V至500 V，額定使用壽命長達3000小時，尺寸范圍為25 mm x 25 mm至35 mm x 55 mm（直徑x長），在額定電壓條件下的電容范圍為68 F至820F，并且可抵抗快速的充放電周期。