由于IGBT的電流導(dǎo)通損耗為4.4W，因此應(yīng)將導(dǎo)通損耗與IGBT基本相同的SiC MOSFET納入考慮范圍。導(dǎo)通損耗可根據(jù)SiC MOSFET的導(dǎo)通電阻計算得出。

與導(dǎo)通電阻和逆變器輸出相電流相關(guān)的導(dǎo)通損耗，在一系列潛在的輸出相電流條件下，應(yīng)將與現(xiàn)有IGBT導(dǎo)通損耗相同的SiC MOSFET納入考慮范圍。

TW070J120B SiC MOSFET被確定為最佳選擇。該器件具有70mΩ導(dǎo)通電阻，具有與現(xiàn)有IGBT幾乎相同的導(dǎo)通損耗（4.4W）。

射頻無線雜項

695

信號調(diào)節(jié)

4,607

射頻檢測器

4,159

射頻放大器

3,582

EMI墊片、金屬薄片、吸收片和屏蔽片

1,697

標(biāo)準(zhǔn)LED-通孔

48,464

集管和線殼

16,099

鐵氧體磁珠

108,016

多層陶瓷電容器MLCC - SMD/SMT

8,347

標(biāo)準(zhǔn)LED-通孔

8,863

確認(rèn)目標(biāo)產(chǎn)品和損耗提高效率的第一個嘗試是2kVA輸出單相逆變器。顯而易見，該類逆變器產(chǎn)品如能進(jìn)一步降低損耗，在市場上將會更具競爭力。

此功能可以提高生產(chǎn)率，比如在工人接近危險時及時發(fā)出警報，幫助防止機(jī)器減速或停車。

此外，CIP Safety 功能還擴(kuò)展了可用的診斷數(shù)據(jù)范圍，可以就諸如掃描儀鏡頭上有灰塵等常見故障對用戶發(fā)出警報。

更高的浪涌,雪崩能力和短路魯棒性有助于增強(qiáng)耐用性,從而提供更高的可靠性和更長的器件使用壽命。

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