高壓應(yīng)用優(yōu)化的封裝高低壓焊盤之間的爬電距離超過2mm
發(fā)布時間:2021/8/16 13:11:30 訪問次數(shù):397
GaN技術(shù)正在推進USB-PD適配器和智能手機充電器向快充方向發(fā)展。
意法半導體的MasterGaN器件可使這些充電器縮小體積80％，減重70％，而充電速度是普通硅基解決方案的三倍。
內(nèi)置保護功能包括高低邊欠壓鎖定(UVLO)、柵極驅(qū)動器互鎖、專用關(guān)閉引腳和過熱保護。9mm x 9mm x 1mm GQFN是為高壓應(yīng)用優(yōu)化的封裝，高低壓焊盤之間的爬電距離超過2mm。
一個聯(lián)合解決方案，該方案經(jīng)過預(yù)先調(diào)校，可為開發(fā)人員節(jié)省長達三個月的調(diào)校工作。
多種產(chǎn)品選項
EGA2000系列提供兩種波長選擇：
850nm適用于需要高靈敏度的系統(tǒng)
每種波長選擇還提供三種發(fā)射角配置：
超寬FoI——適用于機器人避障和人數(shù)統(tǒng)計應(yīng)用
寬FoI——適用于機器視覺系統(tǒng)，例如物流系統(tǒng)中的體積測量
窄FoI——適用于輪廓測量等應(yīng)用場景，支持遠程測量
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝）
GaN技術(shù)正在推進USB-PD適配器和智能手機充電器向快充方向發(fā)展。
意法半導體的MasterGaN器件可使這些充電器縮小體積80％，減重70％，而充電速度是普通硅基解決方案的三倍。
內(nèi)置保護功能包括高低邊欠壓鎖定(UVLO)、柵極驅(qū)動器互鎖、專用關(guān)閉引腳和過熱保護。9mm x 9mm x 1mm GQFN是為高壓應(yīng)用優(yōu)化的封裝，高低壓焊盤之間的爬電距離超過2mm。
一個聯(lián)合解決方案，該方案經(jīng)過預(yù)先調(diào)校，可為開發(fā)人員節(jié)省長達三個月的調(diào)校工作。
多種產(chǎn)品選項
EGA2000系列提供兩種波長選擇：
850nm適用于需要高靈敏度的系統(tǒng)
每種波長選擇還提供三種發(fā)射角配置：
超寬FoI——適用于機器人避障和人數(shù)統(tǒng)計應(yīng)用
寬FoI——適用于機器視覺系統(tǒng)，例如物流系統(tǒng)中的體積測量
窄FoI——適用于輪廓測量等應(yīng)用場景，支持遠程測量
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