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非隔離拓撲中增強模式GaN FET提供6.5V至18V寬電源電壓范圍

發(fā)布時間:2021/8/16 20:07:59 訪問次數(shù):273

高效地獲取所需解決方案,以支持智能交通 (ITS)、聯(lián)網(wǎng)車輛 (V2X、CV2X、RSU 4.1)、鐵軌和隧道監(jiān)控、移動安全、智慧城市和智慧農(nóng)業(yè)等領(lǐng)域的物聯(lián)網(wǎng)及其他任務(wù)關(guān)鍵型應(yīng)用需求。

借助mSmart-box機箱解決方案,可自初次接洽起的數(shù)天內(nèi)根據(jù)用戶需求量身打造出采用IP67防護等級且符合EN60950-22標準的模塊化概念。

機箱堅固耐用,集成了Gore® 閥門,并采用Sur Tec 650耐腐蝕涂層,100%達到 IP67 級防護。 可定制顏色、線纜長度等。

制造商:KOA Speer產(chǎn)品種類:厚膜電阻器 - SMD系列:電阻:10 kOhms功率額定值:50 mW (1/20 W)容差:1 %溫度系數(shù):200 PPM / C最小工作溫度:- 55 C最大工作溫度:+ 155 C外殼代碼 - in:0201外殼代碼 - mm:0603高度:0.23 mm長度:0.6 mm產(chǎn)品:Thick Film Resistors General Purpose技術(shù):Thick Film端接類型:SMD/SMT寬度:0.3 mm商標:KOA Speer安裝風格:PCB Mount產(chǎn)品類型:Thick Film Resistors子類別:Resistors單位重量:0.170 mg

RAA226110旨在驅(qū)動隔離和非隔離拓撲中的增強模式GaN FET,提供6.5V至18 V的寬電源電壓范圍。該器件同時提供反相(INB)和同相(IN)輸入,可滿足使用單個器件進行反相和同相柵極驅(qū)動的要求。

評估套件包括兩個GaN Systems 650-V GaN E-mode晶體管(用于30A版本的GS66508B和用于60A版本的GS66516T)以及所有必要的電路,包括半橋柵極驅(qū)動器,隔離式電源和可選的散熱器。

借助該演示板,設(shè)計人員可以使用通用母板(P / N:GS665MB-EVB)或他們自己的系統(tǒng)設(shè)計,評估任何基于半橋拓撲的GaN E模式性能。

(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

高效地獲取所需解決方案,以支持智能交通 (ITS)、聯(lián)網(wǎng)車輛 (V2X、CV2X、RSU 4.1)、鐵軌和隧道監(jiān)控、移動安全、智慧城市和智慧農(nóng)業(yè)等領(lǐng)域的物聯(lián)網(wǎng)及其他任務(wù)關(guān)鍵型應(yīng)用需求。

借助mSmart-box機箱解決方案,可自初次接洽起的數(shù)天內(nèi)根據(jù)用戶需求量身打造出采用IP67防護等級且符合EN60950-22標準的模塊化概念。

機箱堅固耐用,集成了Gore® 閥門,并采用Sur Tec 650耐腐蝕涂層,100%達到 IP67 級防護。 可定制顏色、線纜長度等。

制造商:KOA Speer產(chǎn)品種類:厚膜電阻器 - SMD系列:電阻:10 kOhms功率額定值:50 mW (1/20 W)容差:1 %溫度系數(shù):200 PPM / C最小工作溫度:- 55 C最大工作溫度:+ 155 C外殼代碼 - in:0201外殼代碼 - mm:0603高度:0.23 mm長度:0.6 mm產(chǎn)品:Thick Film Resistors General Purpose技術(shù):Thick Film端接類型:SMD/SMT寬度:0.3 mm商標:KOA Speer安裝風格:PCB Mount產(chǎn)品類型:Thick Film Resistors子類別:Resistors單位重量:0.170 mg

RAA226110旨在驅(qū)動隔離和非隔離拓撲中的增強模式GaN FET,提供6.5V至18 V的寬電源電壓范圍。該器件同時提供反相(INB)和同相(IN)輸入,可滿足使用單個器件進行反相和同相柵極驅(qū)動的要求。

評估套件包括兩個GaN Systems 650-V GaN E-mode晶體管(用于30A版本的GS66508B和用于60A版本的GS66516T)以及所有必要的電路,包括半橋柵極驅(qū)動器,隔離式電源和可選的散熱器。

借助該演示板,設(shè)計人員可以使用通用母板(P / N:GS665MB-EVB)或他們自己的系統(tǒng)設(shè)計,評估任何基于半橋拓撲的GaN E模式性能。

(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

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