非隔離拓撲中增強模式GaN FET提供6.5V至18V寬電源電壓范圍
發(fā)布時間:2021/8/16 20:07:59 訪問次數(shù):274
高效地獲取所需解決方案，以支持智能交通 (ITS)、聯(lián)網(wǎng)車輛 (V2X、CV2X、RSU 4.1)、鐵軌和隧道監(jiān)控、移動安全、智慧城市和智慧農(nóng)業(yè)等領(lǐng)域的物聯(lián)網(wǎng)及其他任務(wù)關(guān)鍵型應(yīng)用需求。
借助mSmart-box機箱解決方案，可自初次接洽起的數(shù)天內(nèi)根據(jù)用戶需求量身打造出采用IP67防護等級且符合EN60950-22標(biāo)準(zhǔn)的模塊化概念。
機箱堅固耐用，集成了Gore® 閥門，并采用Sur Tec 650耐腐蝕涂層，100%達到 IP67 級防護。 可定制顏色、線纜長度等。
RAA226110旨在驅(qū)動隔離和非隔離拓撲中的增強模式GaN FET，提供6.5V至18 V的寬電源電壓范圍。該器件同時提供反相（INB）和同相（IN）輸入,可滿足使用單個器件進行反相和同相柵極驅(qū)動的要求。
評估套件包括兩個GaN Systems 650-V GaN E-mode晶體管（用于30A版本的GS66508B和用于60A版本的GS66516T）以及所有必要的電路，包括半橋柵極驅(qū)動器，隔離式電源和可選的散熱器。
借助該演示板，設(shè)計人員可以使用通用母板（P / N：GS665MB-EVB）或他們自己的系統(tǒng)設(shè)計，評估任何基于半橋拓撲的GaN E模式性能。
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝）
高效地獲取所需解決方案，以支持智能交通 (ITS)、聯(lián)網(wǎng)車輛 (V2X、CV2X、RSU 4.1)、鐵軌和隧道監(jiān)控、移動安全、智慧城市和智慧農(nóng)業(yè)等領(lǐng)域的物聯(lián)網(wǎng)及其他任務(wù)關(guān)鍵型應(yīng)用需求。
借助mSmart-box機箱解決方案，可自初次接洽起的數(shù)天內(nèi)根據(jù)用戶需求量身打造出采用IP67防護等級且符合EN60950-22標(biāo)準(zhǔn)的模塊化概念。
機箱堅固耐用，集成了Gore® 閥門，并采用Sur Tec 650耐腐蝕涂層，100%達到 IP67 級防護。 可定制顏色、線纜長度等。
RAA226110旨在驅(qū)動隔離和非隔離拓撲中的增強模式GaN FET，提供6.5V至18 V的寬電源電壓范圍。該器件同時提供反相（INB）和同相（IN）輸入,可滿足使用單個器件進行反相和同相柵極驅(qū)動的要求。
評估套件包括兩個GaN Systems 650-V GaN E-mode晶體管（用于30A版本的GS66508B和用于60A版本的GS66516T）以及所有必要的電路，包括半橋柵極驅(qū)動器，隔離式電源和可選的散熱器。
借助該演示板，設(shè)計人員可以使用通用母板（P / N：GS665MB-EVB）或他們自己的系統(tǒng)設(shè)計，評估任何基于半橋拓撲的GaN E模式性能。
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝）
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