體積小功耗低使消費類和商業(yè)設(shè)備都不需要持續(xù)的墻式供電
發(fā)布時間:2021/8/17 18:31:56 訪問次數(shù):172
新款通過AEC-Q101認證的100 V p溝道TrenchFET® MOSFET---SQJ211ELP,用以提高汽車應(yīng)用功率密度和能效。
日前發(fā)布的新款汽車級MOSFET與最接近的DPAK和D2PAK封裝競品器件相比,導(dǎo)通電阻分別降低26 %和46 %,占位面積分別減小50 %和76 %。
此外,作為p溝道MOSFET,SQJ211ELP可簡化柵極驅(qū)動設(shè)計,無需配置n溝道器件所需電荷泵。 MOSFET采用無鉛(Pb)封裝、無鹵素、符合RoHS標(biāo)準,經(jīng)過100 % Rg和UIS測試。
制造商:TXC Corporation產(chǎn)品種類:晶體RoHS: 封裝 / 箱體:3.2 mm x 2.5 mm長度:3.2 mm寬度:2.5 mm系列:封裝:Reel商標(biāo):TXC Corporation安裝風(fēng)格:SMD/SMT產(chǎn)品類型:Crystals3000子類別:Crystals單位重量:16 mg
TCE-11101封裝在5 mm x 5 mm x 1 mm 28-管腳 LGA封裝中.
可以直接準確地檢測家居、汽車、物聯(lián)網(wǎng)、醫(yī)療保健和其他應(yīng)用中CO2濃度的TCE-11101小型化超低功耗MEMS平臺。
TCE-11101引入了新技術(shù),將TDK的傳感器領(lǐng)先地位擴展到新的應(yīng)用和解決方案中,作為新的SmartEnviroTM系列的一部分。
平臺的體積小、功耗低,使所有形態(tài)的消費類和商業(yè)設(shè)備都不需要持續(xù)的墻式供電。
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
新款通過AEC-Q101認證的100 V p溝道TrenchFET® MOSFET---SQJ211ELP,用以提高汽車應(yīng)用功率密度和能效。
日前發(fā)布的新款汽車級MOSFET與最接近的DPAK和D2PAK封裝競品器件相比,導(dǎo)通電阻分別降低26 %和46 %,占位面積分別減小50 %和76 %。
此外,作為p溝道MOSFET,SQJ211ELP可簡化柵極驅(qū)動設(shè)計,無需配置n溝道器件所需電荷泵。 MOSFET采用無鉛(Pb)封裝、無鹵素、符合RoHS標(biāo)準,經(jīng)過100 % Rg和UIS測試。
制造商:TXC Corporation產(chǎn)品種類:晶體RoHS: 封裝 / 箱體:3.2 mm x 2.5 mm長度:3.2 mm寬度:2.5 mm系列:封裝:Reel商標(biāo):TXC Corporation安裝風(fēng)格:SMD/SMT產(chǎn)品類型:Crystals3000子類別:Crystals單位重量:16 mg
TCE-11101封裝在5 mm x 5 mm x 1 mm 28-管腳 LGA封裝中.
可以直接準確地檢測家居、汽車、物聯(lián)網(wǎng)、醫(yī)療保健和其他應(yīng)用中CO2濃度的TCE-11101小型化超低功耗MEMS平臺。
TCE-11101引入了新技術(shù),將TDK的傳感器領(lǐng)先地位擴展到新的應(yīng)用和解決方案中,作為新的SmartEnviroTM系列的一部分。
平臺的體積小、功耗低,使所有形態(tài)的消費類和商業(yè)設(shè)備都不需要持續(xù)的墻式供電。
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
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