體積小功耗低使消費(fèi)類和商業(yè)設(shè)備都不需要持續(xù)的墻式供電
發(fā)布時(shí)間:2021/8/17 18:31:56 訪問次數(shù):173
新款通過AEC-Q101認(rèn)證的100 V p溝道TrenchFET® MOSFET---SQJ211ELP，用以提高汽車應(yīng)用功率密度和能效。
日前發(fā)布的新款汽車級(jí)MOSFET與最接近的DPAK和D2PAK封裝競(jìng)品器件相比，導(dǎo)通電阻分別降低26 %和46 %，占位面積分別減小50 %和76 %。
此外，作為p溝道MOSFET，SQJ211ELP可簡(jiǎn)化柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)，無需配置n溝道器件所需電荷泵。 MOSFET采用無鉛（Pb）封裝、無鹵素、符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，經(jīng)過100 % Rg和UIS測(cè)試。
制造商:TXC Corporation產(chǎn)品種類:晶體RoHS: 封裝 / 箱體:3.2 mm x 2.5 mm長(zhǎng)度:3.2 mm寬度:2.5 mm系列:封裝:Reel商標(biāo):TXC Corporation安裝風(fēng)格:SMD/SMT產(chǎn)品類型:Crystals3000子類別:Crystals單位重量:16 mg
TCE-11101封裝在5 mm x 5 mm x 1 mm 28-管腳 LGA封裝中.
可以直接準(zhǔn)確地檢測(cè)家居、汽車、物聯(lián)網(wǎng)、醫(yī)療保健和其他應(yīng)用中CO2濃度的TCE-11101小型化超低功耗MEMS平臺(tái)。
TCE-11101引入了新技術(shù)，將TDK的傳感器領(lǐng)先地位擴(kuò)展到新的應(yīng)用和解決方案中，作為新的SmartEnviroTM系列的一部分。
平臺(tái)的體積小、功耗低，使所有形態(tài)的消費(fèi)類和商業(yè)設(shè)備都不需要持續(xù)的墻式供電。
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝）
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日前發(fā)布的新款汽車級(jí)MOSFET與最接近的DPAK和D2PAK封裝競(jìng)品器件相比，導(dǎo)通電阻分別降低26 %和46 %，占位面積分別減小50 %和76 %。
此外，作為p溝道MOSFET，SQJ211ELP可簡(jiǎn)化柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)，無需配置n溝道器件所需電荷泵。 MOSFET采用無鉛（Pb）封裝、無鹵素、符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，經(jīng)過100 % Rg和UIS測(cè)試。
制造商:TXC Corporation產(chǎn)品種類:晶體RoHS: 封裝 / 箱體:3.2 mm x 2.5 mm長(zhǎng)度:3.2 mm寬度:2.5 mm系列:封裝:Reel商標(biāo):TXC Corporation安裝風(fēng)格:SMD/SMT產(chǎn)品類型:Crystals3000子類別:Crystals單位重量:16 mg
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