大功率應用提供非常低結殼(junction-to-case)熱阻用于隔離反饋
發(fā)布時間:2021/8/17 19:25:00 訪問次數:1195
這兩款全新大功率HEMT——TDG650E30B和TDG650E15B——分別提供30A和15A的較低電流性能，而去年推出的第一款650 V產品TDG650E60提供60A的電流。
TDG650E15B和TDG650E30B均為增強型硅上GaN功率晶體管，可實現大電流、高壓擊穿和高開關頻率，同時為大功率應用提供非常低的結殼(junction-to-case)熱阻。
氮化鎵器件已經革新了其他行業(yè)的功率轉換元件，現在以耐輻射的塑料封裝推出，這種封裝經過嚴格的可靠性和電氣測試以確保關鍵任務的成功。
制造商:Panasonic產品種類:厚膜電阻器 - SMDRoHS: 封裝:Cut Tape封裝:MouseReel封裝:Reel系列:電阻:510 Ohms功率額定值:250 mW (1/4 W)容差:1 %溫度系數:100 PPM / C最小工作溫度:- 55 C最大工作溫度:+ 155 C電壓額定值:150 V外殼代碼 - in:0603外殼代碼 - mm:1608應用:Automotive Grade特點:Anti-Surge Resistors資格:AEC-Q200高度:0.45 mm長度:1.6 mm產品:Thick Film Resistors High Reliability技術:Thick Film端接類型:SMD/SMT類型:Anti-Surge Resistor寬度:0.8 mm商標:Panasonic安裝風格:PCB Mount產品類型:Thick Film Resistors5000子類別:Resistors單位重量:2 mg
通過提升ITS中CMOS圖像傳感器性能可為進一步推動城市數字化轉型釋放更多的價值。
在交通數字化轉型進程中，面對著巨量的數據需求，交通監(jiān)控管理、高速公路ETC及車輛監(jiān)測等ITS應用需要準確清晰的影像數據作為智能識別運算的基礎。
參考設計采用專利隔離技術用于隔離反饋。這項專利隔離技術稱為Inde-Flux變壓器技術.
Inde-Flux變壓器（部件編號750318659）是Würth Elektronik eiSos利用該專利制造的第一款變壓器，將作為Microchip 15W MCP1012離線參考設計的組件。
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
這兩款全新大功率HEMT——TDG650E30B和TDG650E15B——分別提供30A和15A的較低電流性能，而去年推出的第一款650 V產品TDG650E60提供60A的電流。
TDG650E15B和TDG650E30B均為增強型硅上GaN功率晶體管，可實現大電流、高壓擊穿和高開關頻率，同時為大功率應用提供非常低的結殼(junction-to-case)熱阻。
氮化鎵器件已經革新了其他行業(yè)的功率轉換元件，現在以耐輻射的塑料封裝推出，這種封裝經過嚴格的可靠性和電氣測試以確保關鍵任務的成功。
制造商:Panasonic產品種類:厚膜電阻器 - SMDRoHS: 封裝:Cut Tape封裝:MouseReel封裝:Reel系列:電阻:510 Ohms功率額定值:250 mW (1/4 W)容差:1 %溫度系數:100 PPM / C最小工作溫度:- 55 C最大工作溫度:+ 155 C電壓額定值:150 V外殼代碼 - in:0603外殼代碼 - mm:1608應用:Automotive Grade特點:Anti-Surge Resistors資格:AEC-Q200高度:0.45 mm長度:1.6 mm產品:Thick Film Resistors High Reliability技術:Thick Film端接類型:SMD/SMT類型:Anti-Surge Resistor寬度:0.8 mm商標:Panasonic安裝風格:PCB Mount產品類型:Thick Film Resistors5000子類別:Resistors單位重量:2 mg
通過提升ITS中CMOS圖像傳感器性能可為進一步推動城市數字化轉型釋放更多的價值。
在交通數字化轉型進程中，面對著巨量的數據需求，交通監(jiān)控管理、高速公路ETC及車輛監(jiān)測等ITS應用需要準確清晰的影像數據作為智能識別運算的基礎。
參考設計采用專利隔離技術用于隔離反饋。這項專利隔離技術稱為Inde-Flux變壓器技術.
Inde-Flux變壓器（部件編號750318659）是Würth Elektronik eiSos利用該專利制造的第一款變壓器，將作為Microchip 15W MCP1012離線參考設計的組件。
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
相關技術資料- 7-18STGWA30IH160DF2 IGBT應用前景簡述
- 7-18最新一代低功耗內存LPDDR6標JESD209-6
- 7-18EMI CISPR25 CLASS 5標準應用探究
- 7-18Android 和Linux OS優(yōu)勢特征
- 7-18汽車混合信號微控制器MSPM0G351X-Q1
- 7-184A，6A 3KVRMS雙通道隔離的閘門驅動器
- 7-17第二代儲能電芯加速替代280Ah電芯應用詳情
- 7-17業(yè)界首款超以太網和 UALink IP 解決方案
- 7-17NVLink 和 NVSwitch 關鍵技術參數探究
- 7-17“Scale Up + Scale Out” 混合架構應用詳解
- 7-17高速速度比（2.5MHz）RRIO操作放大器簡述
- 7-174-20MA信號調節(jié)器技術參數設計
公網安備44030402000607
