高熱性能和電氣性能的Nexperia LFPAK56E銅夾片技術(shù)封裝
發(fā)布時間:2021/8/18 13:28:56 訪問次數(shù):157
NextPower 80 V和100 V芯片MOSFET可以顯著降低RDS(on)，前一代100 V器件為7 mΩ，而新器件只有4.3 mΩ，效率大大提高。
對于100 V器件，NextPower技術(shù)還提供44 nC的極低Qrr，有效降低了尖峰值和EMI干擾�？傮w而言，100 V器件的Qrr品質(zhì)因數(shù)平均比競爭對手同類產(chǎn)品低61%。
新的80 V和100 V MOSFET采用具有高熱性能和電氣性能的Nexperia LFPAK56E銅夾片技術(shù)封裝。器件廣泛適用于開關(guān)應(yīng)用，包括AC/DC、DC/DC和電機控制等。
Exos CORVAULT 自愈塊存儲系統(tǒng)。這款智能大容量存儲產(chǎn)品的一大特點，就是能夠簡化數(shù)據(jù)管理、并減少宏觀邊緣與數(shù)據(jù)中心環(huán)境的人工干預(yù)。除了極高的存儲密度，Exos CORVAULT 新品還提供了 SAN 級別的性能，結(jié)合第六代 VelosCT ASIC、ADAPT 糾刪碼數(shù)據(jù)保護、以及自發(fā)性重建等功能。CORVAULT 基于希捷 Exos 4U106 12 Gb/s 平臺而設(shè)計，提供了高達”五個九”(99.999%)的可靠性。在最大的 4U 機箱外形下，它能夠在 7 英寸(18 厘米)的機架空間中容納多達 106 塊驅(qū)動器。
內(nèi)部FPGA編程能力的客戶進行編程，從而保留了硬件投資，并支持DevOps思維以實現(xiàn)功能的敏捷性。BittWare.com/IA-220-U2。
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝）
NextPower 80 V和100 V芯片MOSFET可以顯著降低RDS(on)，前一代100 V器件為7 mΩ，而新器件只有4.3 mΩ，效率大大提高。
對于100 V器件，NextPower技術(shù)還提供44 nC的極低Qrr，有效降低了尖峰值和EMI干擾�？傮w而言，100 V器件的Qrr品質(zhì)因數(shù)平均比競爭對手同類產(chǎn)品低61%。
新的80 V和100 V MOSFET采用具有高熱性能和電氣性能的Nexperia LFPAK56E銅夾片技術(shù)封裝。器件廣泛適用于開關(guān)應(yīng)用，包括AC/DC、DC/DC和電機控制等。
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內(nèi)部FPGA編程能力的客戶進行編程，從而保留了硬件投資，并支持DevOps思維以實現(xiàn)功能的敏捷性。BittWare.com/IA-220-U2。
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