新SiC MOSFET比同等的硅開關(guān)技術(shù)額定輸出36V和48V的模塊
發(fā)布時(shí)間:2021/8/13 12:30:02 訪問次數(shù):432
穩(wěn)壓輸出、自然對(duì)流冷卻的AC-DC電源LCS系列,該系列非常適合注重預(yù)算的應(yīng)用。
四個(gè)新系列(LCS35、LCS50、LCS75和LCS100)分別提供35W、50W、75W和100W的功率水平,并符合B級(jí)傳導(dǎo)和輻射標(biāo)準(zhǔn),便于低成本的系統(tǒng)集成,同時(shí)集成了連接器蓋,以提高安裝后的安全性。
此外,LCS50、LCS75和LCS100系列提供額定輸出36V和48V的模塊。
LCS系列的標(biāo)準(zhǔn)功能包括電源 "ON "LED、0.3W的低待機(jī)功耗、輸出短路保護(hù)、過流和過溫保護(hù)。另外提供保形涂層版本。
制造商: Mini-Circuits
產(chǎn)品種類: 射頻放大器
RoHS: 詳細(xì)信息
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
類型: CATV Amplifiers
技術(shù): InGaP
工作頻率: 0 Hz to 4 GHz
P1dB - 壓縮點(diǎn): 12.5 dBm
增益: 14 dB
工作電源電壓: 4.9 V
NF—噪聲系數(shù): 3.5 dB
OIP3 - 三階截點(diǎn): 26 dBm
工作電源電流: 65 mA
最小工作溫度: - 45 C
最大工作溫度: + 85 C
系列: ERA
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
商標(biāo): Mini-Circuits
通道數(shù)量: 1 Channel
輸入返回?fù)p失: 21 dB
隔離分貝: 22 dB
Pd-功率耗散: 451 mW
產(chǎn)品類型: RF Amplifier
工廠包裝數(shù)量: 1000
子類別: Wireless & RF Integrated Circuits
測(cè)試頻率: 4 GHz
單位重量: 1.430 g

增強(qiáng)的性能降低損耗,從而提高能效,減少熱管理需求,并降低電磁干擾(EMI)。使用這些新的SiC MOSFET的最終結(jié)果是更小、更輕、更高效和更可靠的電源方案。
新器件均為表面貼裝,并提供行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝類型,包括TO247和D2PAK。
傳統(tǒng)安全設(shè)備要么不提供數(shù)據(jù),要么提供的數(shù)據(jù)很少。而智能安全設(shè)備可以提供更高的運(yùn)營(yíng)可視性,幫助用戶了解流程狀態(tài)、環(huán)境條件和其他影響安全和生產(chǎn)率的因素。
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)
穩(wěn)壓輸出、自然對(duì)流冷卻的AC-DC電源LCS系列,該系列非常適合注重預(yù)算的應(yīng)用。
四個(gè)新系列(LCS35、LCS50、LCS75和LCS100)分別提供35W、50W、75W和100W的功率水平,并符合B級(jí)傳導(dǎo)和輻射標(biāo)準(zhǔn),便于低成本的系統(tǒng)集成,同時(shí)集成了連接器蓋,以提高安裝后的安全性。
此外,LCS50、LCS75和LCS100系列提供額定輸出36V和48V的模塊。
LCS系列的標(biāo)準(zhǔn)功能包括電源 "ON "LED、0.3W的低待機(jī)功耗、輸出短路保護(hù)、過流和過溫保護(hù)。另外提供保形涂層版本。
制造商: Mini-Circuits
產(chǎn)品種類: 射頻放大器
RoHS: 詳細(xì)信息
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
類型: CATV Amplifiers
技術(shù): InGaP
工作頻率: 0 Hz to 4 GHz
P1dB - 壓縮點(diǎn): 12.5 dBm
增益: 14 dB
工作電源電壓: 4.9 V
NF—噪聲系數(shù): 3.5 dB
OIP3 - 三階截點(diǎn): 26 dBm
工作電源電流: 65 mA
最小工作溫度: - 45 C
最大工作溫度: + 85 C
系列: ERA
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
商標(biāo): Mini-Circuits
通道數(shù)量: 1 Channel
輸入返回?fù)p失: 21 dB
隔離分貝: 22 dB
Pd-功率耗散: 451 mW
產(chǎn)品類型: RF Amplifier
工廠包裝數(shù)量: 1000
子類別: Wireless & RF Integrated Circuits
測(cè)試頻率: 4 GHz
單位重量: 1.430 g

增強(qiáng)的性能降低損耗,從而提高能效,減少熱管理需求,并降低電磁干擾(EMI)。使用這些新的SiC MOSFET的最終結(jié)果是更小、更輕、更高效和更可靠的電源方案。
新器件均為表面貼裝,并提供行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝類型,包括TO247和D2PAK。
傳統(tǒng)安全設(shè)備要么不提供數(shù)據(jù),要么提供的數(shù)據(jù)很少。而智能安全設(shè)備可以提供更高的運(yùn)營(yíng)可視性,幫助用戶了解流程狀態(tài)、環(huán)境條件和其他影響安全和生產(chǎn)率的因素。
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)
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