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快速熔斷薄膜貼片式保險(xiǎn)絲MFU 0603 AT支持多種PCB布線方案

發(fā)布時(shí)間:2021/8/24 8:51:26 訪問次數(shù):345

新款快速熔斷薄膜貼片式保險(xiǎn)絲---MFU 0603 AT。Vishay BeyschlagMFU 0603 AT符合AEC-Q200標(biāo)準(zhǔn),額定電流0.5 A至5.0 A,適于各種汽車應(yīng)用。

保險(xiǎn)絲外形尺寸為0603,額定電壓達(dá) 63 V,分?jǐn)嗄芰?50 A,工作溫度范圍-55 °C至 +125 °C。

保險(xiǎn)絲符合 RoHS和Vishay綠色標(biāo)準(zhǔn),無鹵素,適合自動(dòng) SMD 組裝系統(tǒng)加工,以及波峰焊、回流焊或氣相自動(dòng)焊接。

MFU 0603-FF AT現(xiàn)可提供樣品并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),供貨周期為10至14周。

制造商:Diodes Incorporated 產(chǎn)品種類:MOSFET 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-3 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:30 V Id-連續(xù)漏極電流:4.6 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:28 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 10 V, + 10 V Vgs th-柵源極閾值電壓:1 V Qg-柵極電荷:11.3 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:1.4 W 通道模式:Enhancement 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Single 高度:1 mm 長(zhǎng)度:2.9 mm 產(chǎn)品:MOSFET Small Signal 晶體管類型:1 N-Channel 寬度:1.3 mm 商標(biāo):Diodes Incorporated 下降時(shí)間:2.84 ns 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時(shí)間:6.18 ns 工廠包裝數(shù)量3000 子類別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:13.92 ns 典型接通延遲時(shí)間:3.41 ns 單位重量:8 mg

DA914X-A產(chǎn)品包括多項(xiàng)關(guān)鍵特性,可滿足當(dāng)今復(fù)雜汽車電子系統(tǒng)的需求:

與單相架構(gòu)相比,多相運(yùn)行可提供更優(yōu)的瞬態(tài)性能、更低的損耗、更高的效率、優(yōu)化的散熱、以及最小的紋波電流和電壓;

更低的PCB成本、更小的元件、更低的整體厚度,適用于薄型應(yīng)用;

靈活性 - 可將電感器和電容器放置于負(fù)載點(diǎn)附近;

分布式功耗 - 更均勻的熱量分布 - 對(duì)于高效的熱管理至關(guān)重要;

遙感可確保最高精度,并支持多種PCB布線方案且不會(huì)降低性能.

(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)

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保險(xiǎn)絲外形尺寸為0603,額定電壓達(dá) 63 V,分?jǐn)嗄芰?50 A,工作溫度范圍-55 °C至 +125 °C。

保險(xiǎn)絲符合 RoHS和Vishay綠色標(biāo)準(zhǔn),無鹵素,適合自動(dòng) SMD 組裝系統(tǒng)加工,以及波峰焊、回流焊或氣相自動(dòng)焊接。

MFU 0603-FF AT現(xiàn)可提供樣品并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),供貨周期為10至14周。

制造商:Diodes Incorporated 產(chǎn)品種類:MOSFET 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-3 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:30 V Id-連續(xù)漏極電流:4.6 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:28 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 10 V, + 10 V Vgs th-柵源極閾值電壓:1 V Qg-柵極電荷:11.3 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:1.4 W 通道模式:Enhancement 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Single 高度:1 mm 長(zhǎng)度:2.9 mm 產(chǎn)品:MOSFET Small Signal 晶體管類型:1 N-Channel 寬度:1.3 mm 商標(biāo):Diodes Incorporated 下降時(shí)間:2.84 ns 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時(shí)間:6.18 ns 工廠包裝數(shù)量3000 子類別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:13.92 ns 典型接通延遲時(shí)間:3.41 ns 單位重量:8 mg

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與單相架構(gòu)相比,多相運(yùn)行可提供更優(yōu)的瞬態(tài)性能、更低的損耗、更高的效率、優(yōu)化的散熱、以及最小的紋波電流和電壓;

更低的PCB成本、更小的元件、更低的整體厚度,適用于薄型應(yīng)用;

靈活性 - 可將電感器和電容器放置于負(fù)載點(diǎn)附近;

分布式功耗 - 更均勻的熱量分布 - 對(duì)于高效的熱管理至關(guān)重要;

遙感可確保最高精度,并支持多種PCB布線方案且不會(huì)降低性能.

(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)

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