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L-com諾通獨(dú)特ECF法蘭設(shè)計(jì)外圍元器件I/O數(shù)據(jù)傳輸標(biāo)準(zhǔn)制定機(jī)構(gòu)

發(fā)布時(shí)間:2021/8/26 23:53:44 訪問次數(shù):209

全新PCI EXPRESS® 5.0收發(fā)機(jī) (基本版和CEM)和參考時(shí)鐘解決方案，成為第一個(gè)為預(yù)一致性測(cè)試提供前期CEM夾具的公司。

PCI EXPRESS通過每三年帶寬就會(huì)翻一番，并積極引入5.0基本規(guī)范(128 GB/s)來超越目標(biāo)，從而繼續(xù)擴(kuò)展其在高速串行計(jì)算機(jī)總線中的領(lǐng)導(dǎo)地位。

隨著外圍元器件I/O數(shù)據(jù)傳輸?shù)臉?biāo)準(zhǔn)制定機(jī)構(gòu)PCI-SIG®宣布將于2021年交付PCI EXPRESS 6.0規(guī)范(256 GB/s)，其中包括多電平PAM4信令，預(yù)計(jì)這種快速發(fā)展步伐將繼續(xù)下去。

制造商:Diodes Incorporated 產(chǎn)品種類:MOSFET 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-3 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:20 V Id-連續(xù)漏極電流:630 mA Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:550 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 8 V, + 8 V Vgs th-柵源極閾值電壓:500 mV Qg-柵極電荷:0.9 nC 最小工作溫度:- 65 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:350 mW 通道模式:Enhancement 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Single 高度:1 mm 長(zhǎng)度:2.9 mm 產(chǎn)品:MOSFET Small Signal 晶體管類型:1 N-Channel 寬度:1.3 mm 商標(biāo):Diodes Incorporated 下降時(shí)間:37.6 ns 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時(shí)間:8.4 ns 工廠包裝數(shù)量3000 子類別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:59.4 ns 典型接通延遲時(shí)間:5.7 ns 單位重量:8 mg

一系列新型USB 3.0 ECF系列面板安裝轉(zhuǎn)接頭/耦合器，用于數(shù)據(jù)采集、測(cè)試和測(cè)量，以及PC外圍互連應(yīng)用。這些新的轉(zhuǎn)接頭/耦合器允許高速傳輸，利用L-com諾通獨(dú)特的ECF法蘭設(shè)計(jì)，USB 3.0線纜可有效穿過面板或接線盒進(jìn)行連接。

除了鍍鉻的屏蔽和非屏蔽兩種外殼設(shè)計(jì)之外，該產(chǎn)品系列還有A型/A型、A型/B型、B型/A型各種連接器組合方式可供選擇。鍍鉻設(shè)計(jì)能夠?qū)Ⅰ詈掀魍鈿さ腻儗�，與連接器外殼和地面電氣連接，非常適合需要將轉(zhuǎn)接頭/耦合器接地至面板或接線盒的用途。

(素材來源：eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝）

全新PCI EXPRESS® 5.0收發(fā)機(jī) (基本版和CEM)和參考時(shí)鐘解決方案，成為第一個(gè)為預(yù)一致性測(cè)試提供前期CEM夾具的公司。

PCI EXPRESS通過每三年帶寬就會(huì)翻一番，并積極引入5.0基本規(guī)范(128 GB/s)來超越目標(biāo)，從而繼續(xù)擴(kuò)展其在高速串行計(jì)算機(jī)總線中的領(lǐng)導(dǎo)地位。

隨著外圍元器件I/O數(shù)據(jù)傳輸?shù)臉?biāo)準(zhǔn)制定機(jī)構(gòu)PCI-SIG®宣布將于2021年交付PCI EXPRESS 6.0規(guī)范(256 GB/s)，其中包括多電平PAM4信令，預(yù)計(jì)這種快速發(fā)展步伐將繼續(xù)下去。

制造商:Diodes Incorporated 產(chǎn)品種類:MOSFET 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-3 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:20 V Id-連續(xù)漏極電流:630 mA Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:550 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 8 V, + 8 V Vgs th-柵源極閾值電壓:500 mV Qg-柵極電荷:0.9 nC 最小工作溫度:- 65 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:350 mW 通道模式:Enhancement 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Single 高度:1 mm 長(zhǎng)度:2.9 mm 產(chǎn)品:MOSFET Small Signal 晶體管類型:1 N-Channel 寬度:1.3 mm 商標(biāo):Diodes Incorporated 下降時(shí)間:37.6 ns 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時(shí)間:8.4 ns 工廠包裝數(shù)量3000 子類別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:59.4 ns 典型接通延遲時(shí)間:5.7 ns 單位重量:8 mg

一系列新型USB 3.0 ECF系列面板安裝轉(zhuǎn)接頭/耦合器，用于數(shù)據(jù)采集、測(cè)試和測(cè)量，以及PC外圍互連應(yīng)用。這些新的轉(zhuǎn)接頭/耦合器允許高速傳輸，利用L-com諾通獨(dú)特的ECF法蘭設(shè)計(jì)，USB 3.0線纜可有效穿過面板或接線盒進(jìn)行連接。

除了鍍鉻的屏蔽和非屏蔽兩種外殼設(shè)計(jì)之外，該產(chǎn)品系列還有A型/A型、A型/B型、B型/A型各種連接器組合方式可供選擇。鍍鉻設(shè)計(jì)能夠?qū)Ⅰ詈掀魍鈿さ腻儗�，與連接器外殼和地面電氣連接，非常適合需要將轉(zhuǎn)接頭/耦合器接地至面板或接線盒的用途。

(素材來源：eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝）

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