SiC MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)光電耦合器。它討論了SiC MOSFET能夠在高電壓，高頻率和高溫度下工作的優(yōu)勢(shì)。它還討論了SiC MOSFET如何將整體系統(tǒng)效率提高10％以上，并具有更高的開關(guān)能力，從而可以減小整體系統(tǒng)尺寸和成本。

碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體正在迅速進(jìn)入商業(yè)市場(chǎng),與傳統(tǒng)的基于硅的功率半導(dǎo)體相比,具有許多優(yōu)勢(shì)。

技術(shù)優(yōu)勢(shì)加上較低的成本，使得SiC功率半導(dǎo)體在工業(yè)電機(jī)控制，感應(yīng)加熱和工業(yè)電源以及可再生能源等應(yīng)用中得到了快速采用。

過(guò)采樣和數(shù)字濾波有助于降低對(duì)ADC前置的抗混疊濾波器的要求。重構(gòu)DAC可以通過(guò)類似的方式運(yùn)用過(guò)采樣和插值原理。

例如，數(shù)字音頻CD播放器常常采用過(guò)采樣，其中來(lái)自CD的基本數(shù)據(jù)更新速率為44.1 kSPS。

早期CD播放器使用傳統(tǒng)的二進(jìn)制DAC，并將“0”插入并行數(shù)據(jù)中，從而將有效更新速率提高到基本吞吐速率的4倍、8倍或16倍。

4×、8×或16×數(shù)據(jù)流通過(guò)一個(gè)數(shù)字插值濾波器，產(chǎn)生額外的數(shù)據(jù)點(diǎn)。

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