NCP51820是高速柵極驅動器,設計以滿足驅動離線模式,半橋功率拓撲的增強模式晶體管,高電子遷移率晶體管(HEMT)和柵極注入晶體管(GIT),氮化鎵(GaN)功率開關的嚴格要求.

NCP51820具有短和匹配的傳輸時延和先進的電平轉移技術,提供-3.5V到+650V共模電壓范圍,以用于高邊驅動和-3.5V到+3.5V共模電壓范圍,以用于低邊驅動.

此外,器件還提供穩(wěn)定的dV/dt工作速率高達200V/ns.為了完全保護GaN功率晶體管的柵極,采用專用的電壓穩(wěn)壓器,以精確維持柵-源驅動信號幅度.

制造商:Diodes Incorporated 產品種類:MOSFET 技術:Si 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SO-8 晶體管極性:P-Channel 通道數(shù)量:2 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:40 V Id-連續(xù)漏極電流:7.6 A Rds On-漏源導通電阻:25 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:800 mV Qg-柵極電荷:33.7 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:1.25 W 通道模式:Enhancement 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Dual 晶體管類型:2 P-Channel 商標:Diodes Incorporated 正向跨導 - 最小值:16.6 S 下降時間:30.9 ns 產品類型:MOSFET 上升時間:14.7 ns 工廠包裝數(shù)量2500 子類別:MOSFETs 典型關閉延遲時間:53.7 ns 典型接通延遲時間:6.9 ns 單位重量:750 mg

如果接收的不是空包，就會把計數(shù)器的值加到這個數(shù)據(jù)包的私有字段中，并緩存到FIFO。

然后計數(shù)器自動清零。這樣處理數(shù)據(jù)包的目的是為了減少網絡傳輸?shù)臄?shù)據(jù)流量，從而可以傳輸更多的傳輸流數(shù)據(jù)。把計數(shù)器的值加入私有字段是為了在計算機接收到數(shù)據(jù)后，可以把原來的空包恢復出來，從而保證原傳輸流數(shù)據(jù)的完整性。

FIFO模塊的功能是從RECEIVE模塊接收數(shù)據(jù)，并緩存起來。DSP與FIFO模塊采用異步連接的方式，具體的接收操作在DSP部分說明中再加以描述。

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