S21和S31幅頻特性外,各端口駐波特性對(duì)最終產(chǎn)品的工作穩(wěn)定性尤為重要。

典型的1：2 Gysel各端口的反射系數(shù)優(yōu)于-20 dB，S21和S31一致性很好，插損在-3.11 dB和-3.17 dB之間，起伏非常小甚至可以忽略不計(jì)，這是Gysel的常規(guī)用法。

改進(jìn)的Gysel功分網(wǎng)絡(luò)具有幅度均衡功能，換言之，可以實(shí)現(xiàn)功分網(wǎng)絡(luò)和均衡網(wǎng)絡(luò)的一體化設(shè)計(jì)。

為了達(dá)到設(shè)計(jì)目的，Z1，Z2和Z3不取傳統(tǒng)意義上的阻抗值，把其長(zhǎng)度L和寬度W均設(shè)為可調(diào)節(jié)的變量，并且采用分頻段設(shè)置優(yōu)化目標(biāo)的方法來(lái)滿足特殊的幅度均衡要求。

制造商:    Infineon    

產(chǎn)品種類:    門驅(qū)動(dòng)器    

RoHS:    詳細(xì)信息    

產(chǎn)品:    Half-Bridge Drivers    

類型:    Half-Bridge    

安裝風(fēng)格:    Through Hole    

封裝 / 箱體:    DIP-8    

激勵(lì)器數(shù)量:    2 Driver    

輸出端數(shù)量:    2 Output    

輸出電流:    230 mA    

電源電壓-最小:    12.6 V    

電源電壓-最大:    15.4 V    

配置:    High Side, Low Side    

上升時(shí)間:    150 ns    

下降時(shí)間:    75 ns    

最小工作溫度:    - 25 C    

最大工作溫度:    + 125 C    

封裝:    Tube    

技術(shù):   Si    

商標(biāo):   Infineon / IR    

工作電源電流:   10 mA    

工作電源電壓:   14 V    

Pd-功率耗散:   1 W    

產(chǎn)品類型:   Gate Drivers    

工廠包裝數(shù)量:   3000    

子類別:   PMIC - Power Management ICs    

單位重量:  2.268 g  

隨著晶體管尺寸縮小接近物理極限，制造變量和微負(fù)載效應(yīng)正逐漸成為限制DRAM性能（和良率）的主要因素。

而對(duì)于先進(jìn)的DRAM,晶體管的有源區(qū) (AA) 尺寸和形狀則是影響良率和性能的重要因素。

在DRAM結(jié)構(gòu)中，電容存儲(chǔ)單元的充放電過(guò)程直接受晶體管所控制。隨著晶體管尺寸縮小接近物理極限，制造變量和微負(fù)載效應(yīng)正逐漸成為限制DRAM性能（和良率）的主要因素。

而對(duì)于先進(jìn)的DRAM,晶體管的有源區(qū) (AA) 尺寸和形狀則是影響良率和性能的重要因素。

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