MOS場(chǎng)效應(yīng)管也被稱(chēng)為金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（MetalOxideSemiconductor FieldEffect Transistor, MOSFET）。它一般有耗盡型和增強(qiáng)型兩種。增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管可分為NPN型PNP型。

NPN型通常稱(chēng)為N溝道型，PNP型也叫P溝道型。對(duì)于N溝道的場(chǎng)效應(yīng)管其源極和漏極接在N型半導(dǎo)體上，同樣對(duì)于P溝道的場(chǎng)效應(yīng)管其源極和漏極則接在P型半導(dǎo)體上。

場(chǎng)效應(yīng)管的輸出電流是由輸入的電壓（或稱(chēng)電場(chǎng)）控制，可以認(rèn)為輸入電流極小或沒(méi)有輸入電流，這使得該器件有很高的輸入阻抗，同時(shí)這也是我們稱(chēng)之為場(chǎng)效應(yīng)管的原因。

制造商:Analog Devices Inc. 產(chǎn)品種類(lèi):參考電壓 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:PDIP-8 參考類(lèi)型:Series Precision References 輸出電壓:5 V 初始準(zhǔn)確度:0.1 % 溫度系數(shù):20 PPM/C 串聯(lián)VREF—輸入電壓—最大值:20 V 分流電流—最大值:40 mA 最小工作溫度:0 C 最大工作溫度:+ 70 C 系列: 封裝:Tube 商標(biāo):Analog Devices 關(guān)閉:No Shutdown 電源電流—最大值:225 uA 最大輸出電壓:5.005 V 工作電源電流:125 uA 產(chǎn)品類(lèi)型:Voltage References 50 子類(lèi)別:PMIC - Power Management ICs 單位重量:2 g

模塊的功率放大器針對(duì)5V供電電壓進(jìn)行了優(yōu)化，能在保持高線(xiàn)性輸出功率和大吞吐量的同時(shí)節(jié)省功耗。此款高性能FEM提供33dB的發(fā)射增益和14.5dB的接收增益，噪聲系數(shù)為1.9dB。

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