GOODRAM HX100移動(dòng)固態(tài)硬盤的技術(shù)參數(shù)推動(dòng)對(duì)車用半導(dǎo)體需求
發(fā)布時(shí)間:2021/8/31 21:58:48 訪問(wèn)次數(shù):1766
隨著汽車系統(tǒng)電氣化、自動(dòng)駕駛和互連趨勢(shì)的發(fā)展,制造商希望為駕駛員提供他們尋求已久的高級(jí)功能和用戶體驗(yàn),這也推動(dòng)了對(duì)車用半導(dǎo)體的需求。
這款內(nèi)存專為 Intel Sapphire Rapids 與 AMD Zen4 Genoa 高性能處理器設(shè)計(jì),頻率為 DDR5-4800MHz,單條容量 16GB-32GB,且支持高階抗硫化技術(shù)。
這些產(chǎn)品為電力電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員提供了多種性能優(yōu)勢(shì),包括接近于零的反向恢復(fù)電流、高浪涌保護(hù)能力和175°C的最大工作結(jié)溫,因此它們非常適合需要提高效率、可靠性和簡(jiǎn)化熱管理的應(yīng)用。
制造商:Cypress Semiconductor產(chǎn)品種類:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器RoHS: 存儲(chǔ)容量:2 Mbit組織:128 k x 16訪問(wèn)時(shí)間:10 ns接口類型:Parallel電源電壓-最大:3.6 V電源電壓-最小:3 V電源電流—最大值:90 mA最小工作溫度:- 40 C最大工作溫度:+ 85 C安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝 / 箱體:TSOP-44封裝:Tray存儲(chǔ)類型:SDR系列:類型:Asynchronous商標(biāo):Cypress Semiconductor端口數(shù)量:1濕度敏感性:Yes產(chǎn)品類型:SRAM270子類別:Memory & Data Storage單位重量:453.250 mg
GOODRAM HX100 移動(dòng)固態(tài)硬盤的技術(shù)參數(shù):
總線接口:PCIe 3.0 x4
連接器:USB 3.2 Type-C 10Gbps
存儲(chǔ)類型:TLC NAND 閃存顆粒
容量:256BG / 512GB / 1TB
順序讀。鹤畲 950 MB/s
順序?qū)懭耄鹤畲?900 MB/s

隨著汽車系統(tǒng)電氣化、自動(dòng)駕駛和互連趨勢(shì)的發(fā)展,制造商希望為駕駛員提供他們尋求已久的高級(jí)功能和用戶體驗(yàn),這也推動(dòng)了對(duì)車用半導(dǎo)體的需求。
這款內(nèi)存專為 Intel Sapphire Rapids 與 AMD Zen4 Genoa 高性能處理器設(shè)計(jì),頻率為 DDR5-4800MHz,單條容量 16GB-32GB,且支持高階抗硫化技術(shù)。
這些產(chǎn)品為電力電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員提供了多種性能優(yōu)勢(shì),包括接近于零的反向恢復(fù)電流、高浪涌保護(hù)能力和175°C的最大工作結(jié)溫,因此它們非常適合需要提高效率、可靠性和簡(jiǎn)化熱管理的應(yīng)用。
制造商:Cypress Semiconductor產(chǎn)品種類:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器RoHS: 存儲(chǔ)容量:2 Mbit組織:128 k x 16訪問(wèn)時(shí)間:10 ns接口類型:Parallel電源電壓-最大:3.6 V電源電壓-最小:3 V電源電流—最大值:90 mA最小工作溫度:- 40 C最大工作溫度:+ 85 C安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝 / 箱體:TSOP-44封裝:Tray存儲(chǔ)類型:SDR系列:類型:Asynchronous商標(biāo):Cypress Semiconductor端口數(shù)量:1濕度敏感性:Yes產(chǎn)品類型:SRAM270子類別:Memory & Data Storage單位重量:453.250 mg
GOODRAM HX100 移動(dòng)固態(tài)硬盤的技術(shù)參數(shù):
總線接口:PCIe 3.0 x4
連接器:USB 3.2 Type-C 10Gbps
存儲(chǔ)類型:TLC NAND 閃存顆粒
容量:256BG / 512GB / 1TB
順序讀取:最大 950 MB/s
順序?qū)懭耄鹤畲?900 MB/s

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