車載網(wǎng)絡(IVN)和ADAS應用中的傳感器數(shù)據(jù)協(xié)同處理
發(fā)布時間:2021/9/8 21:59:58 訪問次數(shù):143
這些技術(shù)能夠確保內(nèi)存更加穩(wěn)定地運行,適用于 7×24 小時工況。
宇瞻還表示,這款內(nèi)存還以全新的通道架構(gòu)開發(fā),提供兩組組 40-bit 完全獨立子通道,有效提升通道效率與可靠度,該技術(shù)具備極高的開發(fā)難度。
宇瞻 DDR5 RDIMM 工業(yè)級內(nèi)存配備了 12V 電源管理 IC(PMIC),為內(nèi)存提供 1.1V 起的穩(wěn)定供電。
宇瞻這款內(nèi)存專為 Intel Sapphire Rapids 與 AMD Zen4 Genoa 高性能處理器設計,頻率為 DDR5-4800MHz,單條容量 16GB-32GB,且支持高階抗硫化技術(shù)。
制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品種類:整流器 RoHS: 詳細信息 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SMB Vr - 反向電壓 :200 V If - 正向電流:4 A 類型:Fast Recovery Rectifiers 配置:Single Vf - 正向電壓:950 mV 最大浪涌電流:70 A Ir - 反向電流 :3 uA 恢復時間:16 ns 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 150 C 系列:STTH4R02-Y 資格:AEC-Q101 封裝:Reel 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 商標:STMicroelectronics Pd-功率耗散:- 產(chǎn)品:Rectifiers 產(chǎn)品類型:Rectifiers 工廠包裝數(shù)量:2500 子類別:Diodes & Rectifiers 單位重量:180 mg
Certus-NX FPGA非常適合汽車應用,如馬達控制、車載信息娛樂(IVI)系統(tǒng)中的LED控制、車載網(wǎng)絡(IVN)和ADAS應用中的傳感器數(shù)據(jù)協(xié)同處理等。
低功耗——與同類FPGA相比功耗降低多達4倍,Certus-NX FPGA的可編程基體偏壓功能可根據(jù)用戶的應用需求,選擇高性能或低功耗工作模式。
小尺寸——與同類FPGA競品相比,尺寸縮小多達3倍,每平方毫米I/O密度增加多達2倍。
(素材來源:eepw和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
這些技術(shù)能夠確保內(nèi)存更加穩(wěn)定地運行,適用于 7×24 小時工況。
宇瞻還表示,這款內(nèi)存還以全新的通道架構(gòu)開發(fā),提供兩組組 40-bit 完全獨立子通道,有效提升通道效率與可靠度,該技術(shù)具備極高的開發(fā)難度。
宇瞻 DDR5 RDIMM 工業(yè)級內(nèi)存配備了 12V 電源管理 IC(PMIC),為內(nèi)存提供 1.1V 起的穩(wěn)定供電。
宇瞻這款內(nèi)存專為 Intel Sapphire Rapids 與 AMD Zen4 Genoa 高性能處理器設計,頻率為 DDR5-4800MHz,單條容量 16GB-32GB,且支持高階抗硫化技術(shù)。
制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品種類:整流器 RoHS: 詳細信息 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SMB Vr - 反向電壓 :200 V If - 正向電流:4 A 類型:Fast Recovery Rectifiers 配置:Single Vf - 正向電壓:950 mV 最大浪涌電流:70 A Ir - 反向電流 :3 uA 恢復時間:16 ns 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 150 C 系列:STTH4R02-Y 資格:AEC-Q101 封裝:Reel 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 商標:STMicroelectronics Pd-功率耗散:- 產(chǎn)品:Rectifiers 產(chǎn)品類型:Rectifiers 工廠包裝數(shù)量:2500 子類別:Diodes & Rectifiers 單位重量:180 mg
Certus-NX FPGA非常適合汽車應用,如馬達控制、車載信息娛樂(IVI)系統(tǒng)中的LED控制、車載網(wǎng)絡(IVN)和ADAS應用中的傳感器數(shù)據(jù)協(xié)同處理等。
低功耗——與同類FPGA相比功耗降低多達4倍,Certus-NX FPGA的可編程基體偏壓功能可根據(jù)用戶的應用需求,選擇高性能或低功耗工作模式。
小尺寸——與同類FPGA競品相比,尺寸縮小多達3倍,每平方毫米I/O密度增加多達2倍。
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