額定電流達(dá)18A可無飽和處理高瞬變電流尖峰的噪音衰減性能
發(fā)布時間:2021/9/9 13:18:41 訪問次數(shù):191
Intel Core 處理器的創(chuàng)新型工業(yè)主板,即AIMB-277和AIMB-287主板,分別采用Mini-ITX和Thin Mini-ITX尺寸設(shè)計,可將工廠自動化、醫(yī)療和自助服務(wù)應(yīng)用中的AI解決方案的整點(diǎn)運(yùn)算能力提升31%。
研華AIMB-277/287工業(yè)主板支持10核,最高可達(dá)64GB的DDR4-2933 MHz,并運(yùn)用M.2 M key NVMe x4來適應(yīng)極高的數(shù)據(jù)速率和嚴(yán)苛要求的密集型AI加速推理運(yùn)算應(yīng)用。
研華AIMB-277/AIMB-287已通過IEC61000-4-2 4級(接觸8kV和空氣15kV)認(rèn)證,可確保在醫(yī)院和工廠環(huán)境中的靜電防護(hù)。
產(chǎn)品種類: 雙極晶體管 - 雙極結(jié)型晶體管(BJT)
RoHS: 詳細(xì)信息
安裝風(fēng)格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220-3
晶體管極性: NPN
配置: Single
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO: 100 V
集電極—基極電壓 VCBO: 100 V
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 5 V
集電極—射極飽和電壓: 1.2 V
最大直流電集電極電流: 3 A
Pd-功率耗散: 40 W
增益帶寬產(chǎn)品fT: 3 MHz
最小工作溫度: - 65 C
最大工作溫度: + 150 C
系列: TIP31C
封裝: Tube
商標(biāo): STMicroelectronics
集電極連續(xù)電流: 3 A
高度: 9.15 mm
長度: 10.4 mm
產(chǎn)品類型: BJTs - Bipolar Transistors
工廠包裝數(shù)量: 1000
子類別: Transistors
技術(shù): Si
寬度: 4.6 mm
單位重量: 6 g
高效IHLP-2020CZ-8A典型DCR為3.95 mΩ至195 mΩ,電感值為0.22 μH至15.0 μH。器件額定電流達(dá)18 A,可無飽和處理高瞬變電流尖峰。
電感器符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),采用100%無鉛(Pb)屏蔽復(fù)合結(jié)構(gòu),噪聲降至非常低的水平,具有高抗熱沖擊、耐潮濕、抗機(jī)械振動能力。
同時,電感器在自諧振頻率(SRF)范圍內(nèi)大電流濾波應(yīng)用中具有出色的噪音衰減性能。
(素材來源:eepw和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
Intel Core 處理器的創(chuàng)新型工業(yè)主板,即AIMB-277和AIMB-287主板,分別采用Mini-ITX和Thin Mini-ITX尺寸設(shè)計,可將工廠自動化、醫(yī)療和自助服務(wù)應(yīng)用中的AI解決方案的整點(diǎn)運(yùn)算能力提升31%。
研華AIMB-277/287工業(yè)主板支持10核,最高可達(dá)64GB的DDR4-2933 MHz,并運(yùn)用M.2 M key NVMe x4來適應(yīng)極高的數(shù)據(jù)速率和嚴(yán)苛要求的密集型AI加速推理運(yùn)算應(yīng)用。
研華AIMB-277/AIMB-287已通過IEC61000-4-2 4級(接觸8kV和空氣15kV)認(rèn)證,可確保在醫(yī)院和工廠環(huán)境中的靜電防護(hù)。
產(chǎn)品種類: 雙極晶體管 - 雙極結(jié)型晶體管(BJT)
RoHS: 詳細(xì)信息
安裝風(fēng)格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220-3
晶體管極性: NPN
配置: Single
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO: 100 V
集電極—基極電壓 VCBO: 100 V
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 5 V
集電極—射極飽和電壓: 1.2 V
最大直流電集電極電流: 3 A
Pd-功率耗散: 40 W
增益帶寬產(chǎn)品fT: 3 MHz
最小工作溫度: - 65 C
最大工作溫度: + 150 C
系列: TIP31C
封裝: Tube
商標(biāo): STMicroelectronics
集電極連續(xù)電流: 3 A
高度: 9.15 mm
長度: 10.4 mm
產(chǎn)品類型: BJTs - Bipolar Transistors
工廠包裝數(shù)量: 1000
子類別: Transistors
技術(shù): Si
寬度: 4.6 mm
單位重量: 6 g
高效IHLP-2020CZ-8A典型DCR為3.95 mΩ至195 mΩ,電感值為0.22 μH至15.0 μH。器件額定電流達(dá)18 A,可無飽和處理高瞬變電流尖峰。
電感器符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),采用100%無鉛(Pb)屏蔽復(fù)合結(jié)構(gòu),噪聲降至非常低的水平,具有高抗熱沖擊、耐潮濕、抗機(jī)械振動能力。
同時,電感器在自諧振頻率(SRF)范圍內(nèi)大電流濾波應(yīng)用中具有出色的噪音衰減性能。
(素材來源:eepw和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
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