開速開關(guān)驅(qū)動功率MOSFET和SiCMOSFET功率晶體管
發(fā)布時間:2021/9/13 13:15:59 訪問次數(shù):1032
NCP51561是分別具有4.5A源電流和9A沉峰值電流的隔離雙路柵極驅(qū)動器,電流隔離為5 kVrms.
設(shè)計用來開速開關(guān)驅(qū)動功率MOSFET和SiCMOSFET功率晶體管.器件提供短和匹配的傳輸時延.從輸入到每個輸出的電流隔離為5 kVrms,而兩個輸出驅(qū)動器間的內(nèi)部功能隔離允許工作電壓高達(dá)1500VDC.該驅(qū)動器可配置成兩個低邊,兩個高邊開關(guān)或帶可編死區(qū)時間的半橋驅(qū)動器.
兩個輸出驅(qū)動器具有獨立的UVLO保護(hù),輸出電源電壓從9.5V到30V,8V為MOSFET,17V UVLO為SiC閾值.共模瞬態(tài)免疫度CMTI大于200 V/ns.
制造商:Infineon 產(chǎn)品種類:MOSFET 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220-3 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:40 V Id-連續(xù)漏極電流:202 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:4 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:2 V Qg-柵極電荷:160 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 175 C Pd-功率耗散:333 W 通道模式:Enhancement 封裝:Tube 商標(biāo):Infineon / IR 配置:Single 高度:15.65 mm 長度:10 mm 產(chǎn)品類型:MOSFET 工廠包裝數(shù)量50 子類別:MOSFETs 晶體管類型:1 N-Channel 寬度:4.4 mm 零件號別名:IRF1404PBF SP001561374 單位重量:2 g
碳化硅肖特基勢壘二極管非常適用于工業(yè)、能源生產(chǎn)和能源分配/存儲的各種AC/DC和DC/DC電源轉(zhuǎn)換器,包括:
工業(yè)開關(guān)模式電源
不間斷電源
電池充電器
太陽能逆變器
工業(yè)電機(jī)驅(qū)動器
高速整流器
(素材來源:eepw和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
NCP51561是分別具有4.5A源電流和9A沉峰值電流的隔離雙路柵極驅(qū)動器,電流隔離為5 kVrms.
設(shè)計用來開速開關(guān)驅(qū)動功率MOSFET和SiCMOSFET功率晶體管.器件提供短和匹配的傳輸時延.從輸入到每個輸出的電流隔離為5 kVrms,而兩個輸出驅(qū)動器間的內(nèi)部功能隔離允許工作電壓高達(dá)1500VDC.該驅(qū)動器可配置成兩個低邊,兩個高邊開關(guān)或帶可編死區(qū)時間的半橋驅(qū)動器.
兩個輸出驅(qū)動器具有獨立的UVLO保護(hù),輸出電源電壓從9.5V到30V,8V為MOSFET,17V UVLO為SiC閾值.共模瞬態(tài)免疫度CMTI大于200 V/ns.
制造商:Infineon 產(chǎn)品種類:MOSFET 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220-3 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:40 V Id-連續(xù)漏極電流:202 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:4 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:2 V Qg-柵極電荷:160 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 175 C Pd-功率耗散:333 W 通道模式:Enhancement 封裝:Tube 商標(biāo):Infineon / IR 配置:Single 高度:15.65 mm 長度:10 mm 產(chǎn)品類型:MOSFET 工廠包裝數(shù)量50 子類別:MOSFETs 晶體管類型:1 N-Channel 寬度:4.4 mm 零件號別名:IRF1404PBF SP001561374 單位重量:2 g
碳化硅肖特基勢壘二極管非常適用于工業(yè)、能源生產(chǎn)和能源分配/存儲的各種AC/DC和DC/DC電源轉(zhuǎn)換器,包括:
工業(yè)開關(guān)模式電源
不間斷電源
電池充電器
太陽能逆變器
工業(yè)電機(jī)驅(qū)動器
高速整流器
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