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TO-247封裝向后兼容性來輕松提高效率幫助設(shè)備大幅節(jié)省電能

發(fā)布時間:2021/9/16 22:25:11 訪問次數(shù):496

在自助支付終端等公共設(shè)備和消費電子產(chǎn)品以及家用電器內(nèi),通過支持手勢識別和人體存在自動檢測,VL53L5CX可實現(xiàn)免接觸安全喚醒系統(tǒng),并幫助設(shè)備大幅節(jié)省電能。

在市面上有大量的支持VL53L5CX的開發(fā)工具鏈,開發(fā)者可通過好用的評估校準(zhǔn)工具快速開發(fā)原型,還可以買到把VL53L5CX輕松集成到更大原型系統(tǒng)中的開發(fā)板。

此外,P-NUCLEO-53L5A1 評估套件和 X-CUBE-TOF1 軟件擴(kuò)展包讓開發(fā)者能夠利用STM32生態(tài)系統(tǒng)開發(fā)飛行時間應(yīng)用。

制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品種類:達(dá)林頓晶體管 配置:Single 晶體管極性:PNP 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:100 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:5 V 集電極—基極電壓 VCBO:100 V 最大直流電集電極電流:8 A 最大集電極截止電流:50 uA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220-3 最大工作溫度:+ 150 C 封裝:Tube 商標(biāo):STMicroelectronics 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 高度:9.15 mm 長度:10.4 mm 產(chǎn)品類型:Darlington Transistors 工廠包裝數(shù)量1000 子類別:Transistors 寬度:4.6 mm 單位重量:6 g

UnitedSiC SiC FET憑借其在開關(guān)效率和導(dǎo)通電阻方面的最新改進(jìn),非常適合具有挑戰(zhàn)性的新興應(yīng)用。

其中包括電動汽車中的牽引驅(qū)動器以及車載和非車載充電器,以及可再生能源逆變器、功率因數(shù)校正、電信轉(zhuǎn)換器以及所有AC/DC或DC/DC功率轉(zhuǎn)換中單向和雙向功率轉(zhuǎn)換的所有階段。

這些特性可在要求苛刻的應(yīng)用中實現(xiàn)最大功率輸出,同時實現(xiàn)低芯片溫升。

成熟的應(yīng)用也可以從使用這種器件中受益——可以憑借其與Si MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器以及成熟的TO-247封裝的向后兼容性來輕松提高效率。


(素材來源:eepw和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

在自助支付終端等公共設(shè)備和消費電子產(chǎn)品以及家用電器內(nèi),通過支持手勢識別和人體存在自動檢測,VL53L5CX可實現(xiàn)免接觸安全喚醒系統(tǒng),并幫助設(shè)備大幅節(jié)省電能。

在市面上有大量的支持VL53L5CX的開發(fā)工具鏈,開發(fā)者可通過好用的評估校準(zhǔn)工具快速開發(fā)原型,還可以買到把VL53L5CX輕松集成到更大原型系統(tǒng)中的開發(fā)板。

此外,P-NUCLEO-53L5A1 評估套件和 X-CUBE-TOF1 軟件擴(kuò)展包讓開發(fā)者能夠利用STM32生態(tài)系統(tǒng)開發(fā)飛行時間應(yīng)用。

制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品種類:達(dá)林頓晶體管 配置:Single 晶體管極性:PNP 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:100 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:5 V 集電極—基極電壓 VCBO:100 V 最大直流電集電極電流:8 A 最大集電極截止電流:50 uA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220-3 最大工作溫度:+ 150 C 封裝:Tube 商標(biāo):STMicroelectronics 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 高度:9.15 mm 長度:10.4 mm 產(chǎn)品類型:Darlington Transistors 工廠包裝數(shù)量1000 子類別:Transistors 寬度:4.6 mm 單位重量:6 g

UnitedSiC SiC FET憑借其在開關(guān)效率和導(dǎo)通電阻方面的最新改進(jìn),非常適合具有挑戰(zhàn)性的新興應(yīng)用。

其中包括電動汽車中的牽引驅(qū)動器以及車載和非車載充電器,以及可再生能源逆變器、功率因數(shù)校正、電信轉(zhuǎn)換器以及所有AC/DC或DC/DC功率轉(zhuǎn)換中單向和雙向功率轉(zhuǎn)換的所有階段。

這些特性可在要求苛刻的應(yīng)用中實現(xiàn)最大功率輸出,同時實現(xiàn)低芯片溫升。

成熟的應(yīng)用也可以從使用這種器件中受益——可以憑借其與Si MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器以及成熟的TO-247封裝的向后兼容性來輕松提高效率。


(素材來源:eepw和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

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