不同色彩像素之間帶來直接串擾及電學串擾成為工藝難點
發(fā)布時間:2021/9/17 13:24:36 訪問次數(shù):425
QCell Bin輸出模式有賴于思特威創(chuàng)新的QCell技術，區(qū)別于傳統(tǒng)拜耳像素陣列，該技術將4個擁有相同顏色的像素緊密排列，使其得以實現(xiàn)四合一Binning輸出，可有效提升在夜景拍攝時的感光度、信噪比及動態(tài)范圍。
為迎合當下消費類設備模組小型化需求，其中搭載的CIS像素尺寸正不斷變小，當單位像素尺寸≤1.0μm時，如何解決不同色彩像素之間帶來的直接串擾（Crosstalk）以及電學串擾（Blooming）成為了工藝難點。
MasterGaN 概念簡化了GaN 寬禁帶功率技術替代普通硅基MOSFET的發(fā)展進程。
新產(chǎn)品集成兩個 650V 功率晶體管與優(yōu)化的高壓柵極驅(qū)動器和相關的安全保護電路，消除了柵極驅(qū)動器和電路布局設計挑戰(zhàn)。
因為 GaN 晶體管可以實現(xiàn)更高的開關頻率，新的集成功率系統(tǒng)封裝可使電源尺寸比基于硅的設計縮小 80%，并且具有很高的穩(wěn)健性和可靠性。
(素材來源：eepw和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝）
QCell Bin輸出模式有賴于思特威創(chuàng)新的QCell技術，區(qū)別于傳統(tǒng)拜耳像素陣列，該技術將4個擁有相同顏色的像素緊密排列，使其得以實現(xiàn)四合一Binning輸出，可有效提升在夜景拍攝時的感光度、信噪比及動態(tài)范圍。
為迎合當下消費類設備模組小型化需求，其中搭載的CIS像素尺寸正不斷變小，當單位像素尺寸≤1.0μm時，如何解決不同色彩像素之間帶來的直接串擾（Crosstalk）以及電學串擾（Blooming）成為了工藝難點。
MasterGaN 概念簡化了GaN 寬禁帶功率技術替代普通硅基MOSFET的發(fā)展進程。
新產(chǎn)品集成兩個 650V 功率晶體管與優(yōu)化的高壓柵極驅(qū)動器和相關的安全保護電路，消除了柵極驅(qū)動器和電路布局設計挑戰(zhàn)。
因為 GaN 晶體管可以實現(xiàn)更高的開關頻率，新的集成功率系統(tǒng)封裝可使電源尺寸比基于硅的設計縮小 80%，并且具有很高的穩(wěn)健性和可靠性。
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