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驅(qū)動(dòng)隔離和非隔離拓?fù)渲械脑鰪?qiáng)模式GaN FET和磚式電源

發(fā)布時(shí)間:2021/9/21 6:24:42 訪問次數(shù):138

四個(gè)集成的GaN功率模塊評(píng)估套件，這些套件使評(píng)估高功率應(yīng)用的GaN功率器件變得容易。這些功率級(jí)設(shè)計(jì)可用于各種應(yīng)用，包括企業(yè)級(jí)1U電源（最高5 kW），高功率密度無橋圖騰柱PFC，光伏逆變器，能量存儲(chǔ)系統(tǒng)，電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和汽車DC / DC轉(zhuǎn)換器和車載充電器。

這些產(chǎn)品包括牽引逆變器，工業(yè)電動(dòng)機(jī)，儲(chǔ)能系統(tǒng)，光伏逆變器以及各種下部電源板和磚式電源。

四個(gè)評(píng)估套件包括：100V驅(qū)動(dòng)器GaN DC / DC功率級(jí)模塊；以及650 V，150 A半橋智能電源模塊（IPM）; 650 V，150 A全橋模塊和驅(qū)動(dòng)器以及650 V，300 A三相模塊和驅(qū)動(dòng)器。

制造商:Nexperia 產(chǎn)品種類:MOSFET RoHS: 詳細(xì)信息 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:LFPAK56-5 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:60 V Id-連續(xù)漏極電流:100 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:4.8 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:2.4 V Qg-柵極電荷:73.1 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 175 C Pd-功率耗散:238 W 通道模式:Enhancement 資格:AEC-Q101 封裝:Reel 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 商標(biāo):Nexperia 配置:Single 下降時(shí)間:31 ns 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時(shí)間:27 ns 工廠包裝數(shù)量:1500 子類別:MOSFETs 晶體管類型:1 N-Channel 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:57 ns 典型接通延遲時(shí)間:15 ns 零件號(hào)別名:934067436115 單位重量:91.420 mg

意法半導(dǎo)體的 800V H系列可控硅 現(xiàn)已量產(chǎn)，采用D2PAK、TO-220AB和TO-220AB絕緣封裝。8H全系產(chǎn)品覆蓋8A至30A的額定電流范圍。

從安裝到移除的每一個(gè)步驟中，簡(jiǎn)化了P7-M2 固態(tài)硬盤助推/助拔裝置的操作。

免工具操作是 PCB 板配件安裝的首要工作，而 SSD 助推/助拔裝置的簡(jiǎn)單、直觀的安裝過程則完全滿足了這一要求。P7-M2產(chǎn)品令安裝和移除變得簡(jiǎn)單方便。

RAA226110旨在驅(qū)動(dòng)隔離和非隔離拓?fù)渲械脑鰪?qiáng)模式GaN FET，提供6.5V至18 V的寬電源電壓范圍。

(素材來源：eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝）

四個(gè)集成的GaN功率模塊評(píng)估套件，這些套件使評(píng)估高功率應(yīng)用的GaN功率器件變得容易。這些功率級(jí)設(shè)計(jì)可用于各種應(yīng)用，包括企業(yè)級(jí)1U電源（最高5 kW），高功率密度無橋圖騰柱PFC，光伏逆變器，能量存儲(chǔ)系統(tǒng)，電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和汽車DC / DC轉(zhuǎn)換器和車載充電器。

這些產(chǎn)品包括牽引逆變器，工業(yè)電動(dòng)機(jī)，儲(chǔ)能系統(tǒng)，光伏逆變器以及各種下部電源板和磚式電源。

四個(gè)評(píng)估套件包括：100V驅(qū)動(dòng)器GaN DC / DC功率級(jí)模塊；以及650 V，150 A半橋智能電源模塊（IPM）; 650 V，150 A全橋模塊和驅(qū)動(dòng)器以及650 V，300 A三相模塊和驅(qū)動(dòng)器。

制造商:Nexperia 產(chǎn)品種類:MOSFET RoHS: 詳細(xì)信息 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:LFPAK56-5 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:60 V Id-連續(xù)漏極電流:100 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:4.8 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:2.4 V Qg-柵極電荷:73.1 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 175 C Pd-功率耗散:238 W 通道模式:Enhancement 資格:AEC-Q101 封裝:Reel 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 商標(biāo):Nexperia 配置:Single 下降時(shí)間:31 ns 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時(shí)間:27 ns 工廠包裝數(shù)量:1500 子類別:MOSFETs 晶體管類型:1 N-Channel 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:57 ns 典型接通延遲時(shí)間:15 ns 零件號(hào)別名:934067436115 單位重量:91.420 mg

意法半導(dǎo)體的 800V H系列可控硅 現(xiàn)已量產(chǎn)，采用D2PAK、TO-220AB和TO-220AB絕緣封裝。8H全系產(chǎn)品覆蓋8A至30A的額定電流范圍。

從安裝到移除的每一個(gè)步驟中，簡(jiǎn)化了P7-M2 固態(tài)硬盤助推/助拔裝置的操作。

免工具操作是 PCB 板配件安裝的首要工作，而 SSD 助推/助拔裝置的簡(jiǎn)單、直觀的安裝過程則完全滿足了這一要求。P7-M2產(chǎn)品令安裝和移除變得簡(jiǎn)單方便。

RAA226110旨在驅(qū)動(dòng)隔離和非隔離拓?fù)渲械脑鰪?qiáng)模式GaN FET，提供6.5V至18 V的寬電源電壓范圍。

(素材來源：eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝）

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