SQJ211ELP低導(dǎo)通電阻有助于降低導(dǎo)通功耗SO-8L封裝器件
發(fā)布時(shí)間:2021/9/21 21:50:57 訪問次數(shù):739
可以直接準(zhǔn)確地檢測家居,汽車,物聯(lián)網(wǎng),醫(yī)療保健和其他應(yīng)用中CO2濃度的小型化超低功耗MEMS平臺(tái),TCE-11101封裝在5 mm x 5 mm x 1 mm 28-管腳 LGA封裝中,平臺(tái)提供非常寬的檢測范圍（400 ppm到50,000 ppm）.
可以直接準(zhǔn)確地檢測家居、汽車、物聯(lián)網(wǎng)、醫(yī)療保健和其他應(yīng)用中CO2濃度的TCE-11101小型化超低功耗MEMS平臺(tái)。
TCE-11101封裝在5 mm x 5 mm x 1 mm 28-管腳LGA封裝中，設(shè)計(jì)需要最少的外部器件來完成。
Vishay SiliconixSQJ211ELP不僅是業(yè)內(nèi)首款鷗翼引線結(jié)構(gòu)5mmx6mm緊湊型PowerPAK® SO-8L封裝器件,而且10 V條件下其導(dǎo)通電阻僅為30mW,達(dá)到業(yè)內(nèi)優(yōu)異水平。
日前發(fā)布的新款汽車級(jí)MOSFET與最接近的DPAK和D2PAK封裝競品器件相比，導(dǎo)通電阻分別降低26 %和46 %，占位面積分別減小50 %和76 %。
SQJ211ELP低導(dǎo)通電阻有助于降低導(dǎo)通功耗，從而節(jié)省能源，10V條件下優(yōu)異的柵極電荷僅為45 nC，減少柵極驅(qū)動(dòng)損耗。
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝）
可以直接準(zhǔn)確地檢測家居,汽車,物聯(lián)網(wǎng),醫(yī)療保健和其他應(yīng)用中CO2濃度的小型化超低功耗MEMS平臺(tái),TCE-11101封裝在5 mm x 5 mm x 1 mm 28-管腳 LGA封裝中,平臺(tái)提供非常寬的檢測范圍（400 ppm到50,000 ppm）.
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TCE-11101封裝在5 mm x 5 mm x 1 mm 28-管腳LGA封裝中，設(shè)計(jì)需要最少的外部器件來完成。
Vishay SiliconixSQJ211ELP不僅是業(yè)內(nèi)首款鷗翼引線結(jié)構(gòu)5mmx6mm緊湊型PowerPAK® SO-8L封裝器件,而且10 V條件下其導(dǎo)通電阻僅為30mW,達(dá)到業(yè)內(nèi)優(yōu)異水平。
日前發(fā)布的新款汽車級(jí)MOSFET與最接近的DPAK和D2PAK封裝競品器件相比，導(dǎo)通電阻分別降低26 %和46 %，占位面積分別減小50 %和76 %。
SQJ211ELP低導(dǎo)通電阻有助于降低導(dǎo)通功耗，從而節(jié)省能源，10V條件下優(yōu)異的柵極電荷僅為45 nC，減少柵極驅(qū)動(dòng)損耗。
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