增強(qiáng)型硅上GaN功率晶體管提供大于100Mhz的超高頻率開關(guān)
發(fā)布時(shí)間:2021/9/21 23:30:48 訪問次數(shù):377
這些器件配有底部冷卻裝置，采用超低FOM Island Technology®芯片和低電感GaNPX®封裝，提供大于100 Mhz的超高頻率開關(guān)、快速且可控制的下降和上升時(shí)間、反向電流能力等等。
我們很高興繼續(xù)為需要最高可靠性的航空等應(yīng)用打造650 V系列高功率GaN HEMT。我們相信，這些新器件更小的封裝將使從事最高功率密度項(xiàng)目設(shè)計(jì)的客戶真正受益。
TDG650E15B和TDG650E30B均為增強(qiáng)型硅上GaN功率晶體管，可實(shí)現(xiàn)大電流、高壓擊穿和高開關(guān)頻率，同時(shí)為大功率應(yīng)用提供非常低的結(jié)殼(junction-to-case)熱阻。
內(nèi)部集成ASIC提供自動校準(zhǔn)、數(shù)據(jù)上報(bào)，以及I2C接口用于數(shù)據(jù)輸出和器件配置。這使它可以非常容易地集成到幾乎任何應(yīng)用中，它的低功耗也使它可以在電池供電的設(shè)備中使用。
新組件的結(jié)構(gòu)也要求高精度對齊，TDK 的高速自動化技術(shù)轉(zhuǎn)移激光芯片，可在高速、高精 度下對齊芯片，并將芯片粘到 PLC 上。
TDK 的超小型全彩激光模塊還可以運(yùn)用到許多應(yīng)用上，而我們的高速制造工藝也將為該模 塊的使用提供支持。
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝）
這些器件配有底部冷卻裝置，采用超低FOM Island Technology®芯片和低電感GaN®封裝，提供大于100 Mhz的超高頻率開關(guān)、快速且可控制的下降和上升時(shí)間、反向電流能力等等。
我們很高興繼續(xù)為需要最高可靠性的航空等應(yīng)用打造650 V系列高功率GaN HEMT。我們相信，這些新器件更小的封裝將使從事最高功率密度項(xiàng)目設(shè)計(jì)的客戶真正受益。
TDG650E15B和TDG650E30B均為增強(qiáng)型硅上GaN功率晶體管，可實(shí)現(xiàn)大電流、高壓擊穿和高開關(guān)頻率，同時(shí)為大功率應(yīng)用提供非常低的結(jié)殼(junction-to-case)熱阻。
內(nèi)部集成ASIC提供自動校準(zhǔn)、數(shù)據(jù)上報(bào)，以及I2C接口用于數(shù)據(jù)輸出和器件配置。這使它可以非常容易地集成到幾乎任何應(yīng)用中，它的低功耗也使它可以在電池供電的設(shè)備中使用。
新組件的結(jié)構(gòu)也要求高精度對齊，TDK 的高速自動化技術(shù)轉(zhuǎn)移激光芯片，可在高速、高精 度下對齊芯片，并將芯片粘到 PLC 上。
TDK 的超小型全彩激光模塊還可以運(yùn)用到許多應(yīng)用上，而我們的高速制造工藝也將為該模 塊的使用提供支持。
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝）
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