SiHH070N60EF基于Vishay最新高能效E系列超結(jié)技術(shù)，10 V條件下典型導通電阻僅為0.061 Ω，超低柵極電荷降至50 nC。

器件的FOM為3.1 Ω*nC，比同類最接近的MOSFET低30 %。這些參數(shù)表明導通和開關(guān)損耗降低，從而節(jié)省能源。

SiHH070N60EF有效輸出電容Co(er)和Co(tr)分別僅為90 pf和560 pF，可改善零電壓開關(guān)（ZVS）拓撲結(jié)構(gòu)開關(guān)性能，如LLC諧振轉(zhuǎn)換器。

Vishay Siliconix n溝道SiHH070N60EF導通電阻比其前代器件低29 %，為通信、工業(yè)、計算和企業(yè)級電源應(yīng)用提供高效解決方案,同時柵極電荷下降60 %,從而使器件導通電阻與柵極電荷乘積,即功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中600 V MOSFET的重要優(yōu)值系數(shù)（FOM）創(chuàng)業(yè)界新低。

器件的Co(tr) 比同類緊隨其后的MOSFET低32 %。

日前發(fā)布的器件采用PowerPAK® 8x8封裝，符合RoHS標準，無鹵素，耐受雪崩模式過壓瞬變，并保證極限值100 %通過UIS測試。