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節(jié)省空間的LFPAK56D(雙通道Power-SO8)銅夾片封裝技術(shù)

發(fā)布時(shí)間:2021/9/24 12:34:42 訪問次數(shù):184

R-Car V3U還提供多種可編程引擎,包括用于雷達(dá)處理的DSP,用于傳統(tǒng)計(jì)算機(jī)視覺算法的多線程計(jì)算機(jī)視覺引擎,用于提升圖像質(zhì)量的圖像信號處理以及用于密集光流、立體差異和物體分類等關(guān)鍵算法等的其它硬件加速器。

先進(jìn)的嵌入式軟件平臺開發(fā),適用于自動駕駛.

瑞薩開放集成的開發(fā)環(huán)境,可幫助客戶利用R-Car平臺的內(nèi)置硬件優(yōu)勢,以及低功耗特性和高可靠的實(shí)時(shí)軟件,推動基于計(jì)算機(jī)視覺與深度學(xué)習(xí)解決方案的迅速上市。

制造商:Infineon 產(chǎn)品種類:MOSFET 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220-3 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:40 V Id-連續(xù)漏極電流:202 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:4 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:2 V Qg-柵極電荷:160 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 175 C Pd-功率耗散:333 W 通道模式:Enhancement 封裝:Tube 商標(biāo):Infineon / IR 配置:Single 高度:15.65 mm 長度:10 mm 產(chǎn)品類型:MOSFET 工廠包裝數(shù)量50 子類別:MOSFETs 晶體管類型:1 N-Channel 寬度:4.4 mm 零件號別名:IRF1404PBF SP001561374 單位重量:2 g

新的MOSFET在175°C時(shí)完全符合AEC-Q101汽車標(biāo)準(zhǔn),提供40 V和60 V選項(xiàng),典型RDS(ON)額定值為12.5mΩ至55mΩ。

所有器件均采用公司節(jié)省空間的LFPAK56D(雙通道Power-SO8)銅夾片封裝技術(shù)。該封裝堅(jiān)固可靠,配備鷗翼引腳,實(shí)現(xiàn)出色的板級可靠性,并兼容自動光學(xué)檢查(AOI),提供出色的可制造性。

通過在更高性能硅結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上,提供具有可靠重復(fù)雪崩功能的汽車級器件,就能增加利用其功能優(yōu)勢而設(shè)計(jì)的動力總成數(shù)量。

(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

R-Car V3U還提供多種可編程引擎,包括用于雷達(dá)處理的DSP,用于傳統(tǒng)計(jì)算機(jī)視覺算法的多線程計(jì)算機(jī)視覺引擎,用于提升圖像質(zhì)量的圖像信號處理以及用于密集光流、立體差異和物體分類等關(guān)鍵算法等的其它硬件加速器。

先進(jìn)的嵌入式軟件平臺開發(fā),適用于自動駕駛.

瑞薩開放集成的開發(fā)環(huán)境,可幫助客戶利用R-Car平臺的內(nèi)置硬件優(yōu)勢,以及低功耗特性和高可靠的實(shí)時(shí)軟件,推動基于計(jì)算機(jī)視覺與深度學(xué)習(xí)解決方案的迅速上市。

制造商:Infineon 產(chǎn)品種類:MOSFET 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220-3 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:40 V Id-連續(xù)漏極電流:202 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:4 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:2 V Qg-柵極電荷:160 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 175 C Pd-功率耗散:333 W 通道模式:Enhancement 封裝:Tube 商標(biāo):Infineon / IR 配置:Single 高度:15.65 mm 長度:10 mm 產(chǎn)品類型:MOSFET 工廠包裝數(shù)量50 子類別:MOSFETs 晶體管類型:1 N-Channel 寬度:4.4 mm 零件號別名:IRF1404PBF SP001561374 單位重量:2 g

新的MOSFET在175°C時(shí)完全符合AEC-Q101汽車標(biāo)準(zhǔn),提供40 V和60 V選項(xiàng),典型RDS(ON)額定值為12.5mΩ至55mΩ。

所有器件均采用公司節(jié)省空間的LFPAK56D(雙通道Power-SO8)銅夾片封裝技術(shù)。該封裝堅(jiān)固可靠,配備鷗翼引腳,實(shí)現(xiàn)出色的板級可靠性,并兼容自動光學(xué)檢查(AOI),提供出色的可制造性。

通過在更高性能硅結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上,提供具有可靠重復(fù)雪崩功能的汽車級器件,就能增加利用其功能優(yōu)勢而設(shè)計(jì)的動力總成數(shù)量。

(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

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