內(nèi)置智能控制模塊（自主專(zhuān)利技術(shù)），動(dòng)作響應(yīng)快、損耗小，降低溫升，節(jié)能效果明顯。

SPAD 是一種像素結(jié)構(gòu)，可利用雪崩倍增技術(shù)，將單個(gè)入射光子的電子放大，從而形成雪崩式疊加。KM系列控制模塊擁有超寬輸入電壓和交直流兩用的功能,接觸器型號(hào)可減少87.5%，有效降低管理成本.

傳感器通過(guò)在 CMOS 圖像傳感器中創(chuàng)造的背照式像素結(jié)構(gòu)、堆疊結(jié)構(gòu)和 Cu-Cu 連接等技術(shù)，成功地構(gòu)建了一種將 SPAD 像素和測(cè)距處理電路封裝在單個(gè)芯片的獨(dú)特元器件結(jié)構(gòu)。

制造商:Vishay 產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-3 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:30 V Id-連續(xù)漏極電流:3.16 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:47 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:1 V Qg-柵極電荷:3 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:750 mW 通道模式:Enhancement 封裝:Reel 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 商標(biāo):Vishay Semiconductors 配置:Single 下降時(shí)間:6 ns 正向跨導(dǎo) - 最小值:7 S 高度:1.45 mm 長(zhǎng)度:2.9 mm 產(chǎn)品類(lèi)型:MOSFET 上升時(shí)間:12 ns 工廠包裝數(shù)量3000 子類(lèi)別:MOSFETs 晶體管類(lèi)型:1 N-Channel 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:14 ns 典型接通延遲時(shí)間:7 ns 寬度:1.6 mm 零件號(hào)別名:SI2306BDS-T1-BE3 SI2306BDS-E3 單位重量:8 mg

采用高度集成自主IC，無(wú)需短路環(huán)，多殼架共用一個(gè)線圈，降低制造工藝成本；可直接運(yùn)用現(xiàn)有線圈,現(xiàn)有殼架進(jìn)行升級(jí)改造,無(wú)需重新設(shè)計(jì)與開(kāi)模，改造成本低，操作簡(jiǎn)單。  

KM系列接觸器控制模塊擁有超寬輸入電壓75-305VAC/VDC輸入、交直流兩用功能，抗電網(wǎng)晃電能力強(qiáng)，降低了故障風(fēng)險(xiǎn)；同時(shí)大幅度減小多型號(hào)管理成本，減小最終用戶(hù)繁瑣選型，便于操作。

傳統(tǒng)交流接觸器需要短路環(huán)來(lái)消除銜鐵產(chǎn)生的振動(dòng)和噪聲，而金升陽(yáng)KM系列接觸器控制模塊無(wú)需短路環(huán),改善了短路環(huán)帶來(lái)的“嗡嗡嗡”聲音問(wèn)題，同時(shí)降低短路環(huán)產(chǎn)生的功耗。

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